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半导体二极管之快恢复整流二极管
- 一、快恢复整流二极管的结构特点及特性 快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P—I—N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。 反向恢复时间t1是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图14-20所示。
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整流二极管介绍
整流二极管
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增 [ 查看详细 ]
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