美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。
传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队在硅片上用金加工出一种类似蘑菇形状的纳米结构(称为“超材料”结构)，在10伏以下的直流电压和低功率红外激光
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微电子器件 半导体
近日，加利福尼亚大学圣地亚哥分校(University of California San Diego)的工程师利用超材料(metamaterials)研发出世界上首个无半导体的光控微电子器件，该电子器件仅在低电压、低功率激光的激发下，导电性能相比传统增加10倍。该技术有利于制造更快、更高功率的微电子器件，并有望制造更高效的太阳能电池板。
该研究发表于11月4日的国际期刊《Nature Communications》。
无半导体电子器件。图片来源：UCSan Diego Applied
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复旦大学微电子学院副院长、国家02重大专项总体组专家张卫教授领衔的科研团队研制出一种新型的微电子器件——半浮栅晶体管(SFGT)，可让数据擦写更容易、速度更快，操作电压更低，为设计低功耗芯片奠定了基础。相关研究成果刊登于8月8日出版的《科学》杂志上。这是我国科学家在该杂志上发表的第一篇微电子器件方面的论文。
据介绍，张卫教授团队长期从事集成电路工艺和半导体器件的研究。这一成果被业内学者称为将可能改变近年来IT业界所担忧的问题:技术的发展将使摩尔定律达到极限无法再突破。这也
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微电子器件 半浮栅晶体管
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