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复旦微电子学院研制出高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管

• 自戈登·摩尔提出至今，摩尔定律已持续发展半个多世纪，芯片集成度不断提高，性能不断提升。然而如今器件特征尺寸不断缩小，特别是接近纳米尺度的量级时，出现量子尺寸效应、界面效应、短沟道效应等问题，影响了器件性能。根据国际半导体技术蓝图预测，对于5nm以下技术节点工艺，现有存储技术将不能满足芯片高性能、低功耗的要求。因此，高密度、低功耗的新型存储器亟待开发。当前计算机架构基于“冯?诺依曼”体系，计算与存储相互分离，二者间的数据反复交换和速度差异占据了大量冗余时间，被称为“存储墙”，直接导致整个芯片系统运算速度下降
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