- OLED显示技术被称为是第三代显示技术，正是基于这种说法，中国大陆的OLED产业才得以蓬勃发展，不少公司都在争先恐后的投入巨资建设OLED显示器件生产线，原因很简单，那就是我们在CRT和LCD时代均落后于人，希望能在OL
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解析 器件 显示 AM-OLED
- 1 引言 为了精确地输出正弦波、调幅波、调频波、PSK及ASK等信号，并依据直接数字频率合成(Direct Digital ...
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DDS 器件 正弦波 信号 调制信号
- 1 引言典型的微控制器（MCS51系列，MCS98系列，M68000系列，PIC系列等）片的内部都集成了少量的RAM、ROM及计数器，具有有限的 I／O能力，这在构成一般小型应用系统时，或许可以满足开发者的需求。但对于大型的单片机
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外围 电路 扩展 单片机 进行 PSD 系列 器件 运用
- 在您努力想要稳定板上的各种信号时，信号完整性问题会带来一些麻烦。IBIS 模型是解决这些问题的一种简单方法。您可以利用 IBIS 模型提取出一些重要的变量，用于进行信号完整性计算和寻找 PCB 设计的解决方案。您从 I
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信号完整性 器件 特性阻抗
- 中心议题： 过压保护器件的选型要点 过流保护器件的选型技巧 过温保护器件的选型考虑
随着电子系统的复杂性和集成度越来越高，而工作电压越来越低，电子系统对可靠性、稳定性和安全性的要求也越来越高，电
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选型 技巧 器件 保护 过流 常用
- 中心议题： 汽车电子设备电源极性接反的传统二极管保护方式 汽车电子设备电源极性接反的聚合物正温度系数保护方式解决方案： 大功率MOSFET电路的保护 电机保护
汽车电子设备必须具备应对电源极性接反故
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PPTC 器件 保护 电源极性
- 1 引言
为了精确地输出正弦波、调幅波、调频波、PSK及ASK等信号，并依据直接数字频率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，简称DDFS)技术及各种调制信号相关原理，设计了一种采用新型DDS器件产生正弦波信
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DDS 器件 调制信号 正弦波信号
- 近日在AETC(欧洲的ARM技术会议)，赛灵思公司宣布，该公司现已开始发售其Zynq-7000 EPP(扩展式处理平台)设备，并运行一个基于Linux的应用程序的设备，提供了第一个公开演示。
Zynq-7020 EPP最初的样品目前正在出货为早期试用计划的参与者，跟踪生产合格的零件使其走向正规，在2012年下半年开始出货。
“自从我们在2010年4月首次推出的可扩展处理平台程序以来，我们很高兴的看到早期客户充分利用他们所完成并运用他们的系统对这些设备”Lawrenc
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赛灵思 器件 ships Zynq-7000
- 简介
AD9779 TxDAC的DAC输出采样速率最高可达1 GSPS.在某些应用中，例如需要波束导引的应用，用户可以同步多个AD9779.因此，当AD9779以接近最高速度工作时，TxDAC时序特性变得至关重要。
本应用笔记不
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TxDAC 9779 AD 器件
- 作为一年一度大学生人才培养与创业指导的重要活动，“2011年未来电子技术发展与专业人才培养高峰论坛”秉承前一届的成功经验，于2011年12月9日在北京会议中心如期举行。
本次论坛是由中国电子信息产业发展研究院主办，由赛迪顾问股份有限公司承办，日本村田制作所赞助。以“成长于信息时代 奋斗于电子梦想”为主题，围绕“电子技术发展现状与趋势展望”、“下一代信息技术产业重点领域解析”与“大学生学习与
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村田制作所 器件
- 1. 引言
在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为
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UPS 应用 电源 间断 器件 IGBT 功率
- 10.4 PLD器件的应用10.4.1 可编程器件的开发系统10.4.2 ABEL硬件描述语言一、ABEL源文件的结构二、ABEL的基本语法10.4.3 应用举例10.4 PLD器件的应用10.4.1 可编程器件的开发系统10.4.2 ABEL硬件描述语言一、ABEL源文
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PLD 器件
- 当线宽远高于10微米时，纯净度还不像今天的器件生产中那样至关紧要。旦随着器件变得越来越集成， 超净间也变得越来越干净。今天，工厂内是加压过滤空气，来去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半导体制造车间里的工人被要求着超净服来保护器件不被人类污染。
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半导体 器件 芯片
- 中心议题： 大功率直流电源的拓扑结构 大功率直流电源的控制方案 电源的数据传输拓扑结构
本文基于IGBT器件，利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快
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电源 技术 研究 DC/DC 大功率 IGBT 器件 基于
- 摘要：本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。
关键词：栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
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模式 比较 失效 器件 及其 IGBT
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