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突破技术壁垒！华东理工自主研发钙钛矿单晶芯片通用生长技术

• 新华社客户端5日报导，华东理工大学清洁能源材料与器件团队，日前自主研发了一种钙钛矿单晶芯片通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代高性能光电子器件提供了丰富材料库。相关成果发表于国际学术期刊《自然·通讯》。报导称，长期以来，国际上未有钙钛矿单晶芯片的通用制备方法，传统方法仅能以满足高温环境、生长速率慢的方式制备几种毫米级单晶，极大限制了单晶芯片的实际应用。对于钙钛矿单晶芯片生长所涉及的成核、溶解、传质、反应等多个过程，华东理工大
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