- 功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：1）防止栅极 di/dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大
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功率MOS管 保护电路设计
- 概述随着科学技术的发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，因此直...
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直流开关电源 保护电路设计
- 摘要：针对静电放电和电快速瞬变脉冲群(ESD／EFT)等危险浪涌电压会给数字移动电话带来死机、损坏等致命危害的问题，便于电路设计人员加深对TVS器件的认识，设计出高可靠性的保护电路，文章通过分析TVS器件的特性和主
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TVS 数字移动电话 保护电路设计 抗干扰设计
保护电路设计介绍
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