- 恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。
华硕公司研发处主任郑庆福表示：“卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑TCO’99认证的关键因素。通过与恩智浦
- 关键字：
低VCEsat晶体管 电源技术 模拟技术
低vcesat晶体管介绍
您好，目前还没有人创建词条低vcesat晶体管!
欢迎您创建该词条，阐述对低vcesat晶体管的理解，并与今后在此搜索低vcesat晶体管的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
