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IGBT技术社区问答

wyf86 说：
12楼

2013-11-07 21:16 来自EEPW
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回答11# soothmusic：可使用MOSFET驱动技术进行触发

soothmusic 说：
11楼

2013-11-06 21:54 来自EEPW
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IGBT栅极/发射极阻抗大，应该怎么触发？

活词典 说：
10楼

2013-10-05 22:31 来自EEPW
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回答9# 云端：也就是IGBT的开关特性，等效电路为达林顿结构。

云端 说：
9楼

2013-10-04 21:13 来自EEPW
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IGBT漏源电压与漏极电流的关系是怎样的？

soothmusic 说：
8楼

2013-09-30 21:54 来自EEPW
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回答7# eepwlover：简单来说，就是栅源电压Ugs与输出漏极电流Id 的关系曲线。

eepwlover 说：
7楼

2013-09-29 22:34 来自EEPW
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IGBT的转移特性是什么？

活词典 说：
6楼

2013-09-28 22:21 来自EEPW
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回答5# 云端：Ugs 越高， Id 越大。

云端 说：
5楼

2013-09-27 23:36 来自EEPW
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选型IGBT，可以参考伏安特性曲线，Ugs与Id的关系是什么样的？

soothmusic 说：
4楼

2013-09-25 22:06 来自EEPW
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回答3# eepwlover：它们都有高输入阻抗特性。

eepwlover 说：
3楼

2013-09-24 21:59 来自EEPW
引用

IGBT的输入阻抗特性，与MOSFET一样吗？
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