soothmusic 说:
30楼
2014-07-20 06:13 来自EEPW
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回答29# wyf86:这个问题很难回答,有的30年以上
当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
soothmusic 说:
30楼
2014-07-20 06:13 来自EEPW
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