记忆电阻器介绍
memristors,惠普科学家开发的下一代内存技术,这种技术有可能取代目前广泛应用的闪存和DRAM内存技术。
记忆电阻器是加州大学伯克利分校的一位教授在1971年首次阐明的。在此之前,科学家仅知道三个基本电路元件:电阻器、电容器和电感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把记忆电阻器称作第四个元件。
几十年后,惠普科学家证明记忆电阻器是存在的,并且证明他们能够让记忆电阻器在两个或者更多的电阻级 [
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