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缓启动 文章 进入缓启动技术社区

MOSFET开关损耗分析

  • 摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间
  • 关键字: MOSFET  带电插拔  缓启动  开关损耗  
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缓启动介绍

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