- 简介：注释：静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。
前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。
虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电
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静电损坏 MOS
- 简介：本文总结了TTL和CMOS电平的特点、使用方式等内容 。
1，TTL电平(什么是TTL电平)：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
特点：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高
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TTL CMOS
- 欧盟EUP环保指令你知道吗?你知道此指令对静态能耗有什么要求吗?我们产品上需要怎样应对呢?下面给你解决此问题的电源供电方案。
2009年1月6日，欧盟电子类产品待/关机模式之EuP能耗指令执行措施已正式生效，其生态化设计要求与去年7月经欧盟生态化设计管理委员会批准的工作草案相同。厂商需在2010年1月6日前达到第一阶段的要求，2013年1月6日达到第二阶段要求。
图1 Eup图标
我们来了解一下EuP能耗指令第二阶段的具体要求，
1、产品在关机或待机
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MOS AC-DC
- “TTL电平”最常用于有关电专业，如：电路、数字电路、微机原理与接口技术、单片机等课程中都有所涉及。在数字电路中只有两种电平(高和低)高电平+5V、低电平0V.同样运用比较广泛的还有CMOS电平、232电平、485电平等。
TTL电路
TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol
Uoh≥2.4V，Uol&le
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TTL CMOS
- 【前言】在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。
【问题分析】
上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电
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MOS SCR
- 一、场效应管的工作原理- -概念
场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。
二、
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场效应管 MOS JFET 场效应管工作原理
- 混频器是无线收发机中的核心模块， 对整个系统的性能具有很大影响。线性度、转换增益是衡量一个混频器性能的重要指标。
在接收机中， 混频器具有一定的转换增益可以降低混频器后面各级模块设计的难度， 有利于提高系统噪声性能和灵敏度。线性度决定了混频器能处理的最大信号强度。随着现代通讯系统对性能要求越来越高， 无论是应用于接收机系统的下变频器(本文指的混频器) ， 还是应用于发射机系统中的上变频器都要求具有较高的线性度。因此设计具有高增益和高线性度的混频器就成为业界一直研究的热点。
在CMOS电路设
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MOS 谐波混频器
- MOSFET是一个时代产物,随着MOSFET技术的进展，特别是大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET出现，它的开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选。
在EEPW论坛呆久了，看了好多网友问起MOS管的事情，有很多童靴对MOS管的使用不是很熟悉，今天有空给大家说几个关于MOSFET的技巧的几个实用技巧的事情。
为了把问题说的明白些，还是有必要把MOS管的身世先介绍一下。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道
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MOSFET MOS
- 1 引 言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
2 ESD保护原理
ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为ESD的放电通路
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CMOS ESD MOS
- 1、芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的
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LED MOS 变压器
- 因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
- 关键字：
MOS CMOS
- 脉冲电源是脉冲制式供电方式装备必不可少的供电电源。本文对脉冲电源特点及主要参数的影响原因进行分析，给出了一种脉冲电源的电路方案。重点分析输出脉冲电压跌落幅度产生原因及解决方法，总结了实用的脉冲电源工程设计方法。
- 关键字：
电源 MOS 脉冲电压 跌落幅度 脉冲电源 201405
- 在汽车仪表盘中，发动机转速表和车速表是两个非常重要的量表，转速表采集发动机转速传感器脉冲，指示当前发动机转速，反映发动机的工作状况，车速表采集车速传感器脉冲，指示当前车速及其变化。目前车辆改装日渐普遍，发动机、变速箱及轮胎改装都会造成发动机转速表和车速表的指示错误，发动机改装前后的转速脉冲数不一致会造成转速表显示错误，导致发动机出现故障时无法及时发现。变速箱或轮胎改装前后的车速传感器脉冲数或轮胎直径不一致会造成车速表显示错误，由于无法正确反映当前车速，便很难达到经济时速，同时当存在超速现象时也无法及时
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汽车 转换器 LED TTL RC
- 为了解决现有浪涌保护电路可靠性差、专用模块体积庞大以及效率低的问题，提出一种抗机载80V浪涌、高效恒流源电路解决方案。其设计思路从以下几个方面考虑：(1)能够承受航空供电系统中80V/50ms过压浪涌且能正常工作;(2)外围电路较为简单，通过分离元器件可实现抗浪涌功能;(3)构建的电路占用体积仅为专用模块的50%～60%左右;(4)正常工作时，电路转换效率能达到90%以上;80V/50ms的高压浪涌电压时，电路转换效率能达到80%以上
- 关键字：
PCB MOS 恒流源
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