- 一、概述 1、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻(Magnetoresistance)。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻(GMR)、庞磁阻(CMR)、异向磁阻(AMR)、穿隧磁阻(TMR)、直冲磁阻(BMR)和异常磁阻(EMR)。 2、磁阻应用：磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、
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隧道磁阻 TMR
- 国内磁传感器厂商主要在做四种磁传感器，即霍尔效应、AMR、GMR和TMR。这四种产品主要分成消费类、车载以及工业和能源三个大的市场。本文根据“中国（上海）国际传感器技术与应用研讨会”之“磁传感技术及应用”研讨会的相关报告，介绍了磁传感器的市场发展状况，并介绍了新一代传感器的特性及要求。
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传感器厂商 霍尔效应 AMR GMR TMR 201611
- 基于FPGA的TMR方法改进策略,基于SRAM的FPGA对于空间粒子辐射非常敏感，很容易产生软故障，所以对基于FPGA的电子系统采取容错措施以防止此类故障的出现是非常重要的。三模冗余(TMR)方法以其实现的简单性和效果的可靠性而被广泛用于对单粒子翻转(
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改进 策略 方法 TMR FPGA 基于
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