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隧道磁阻技术(TMR)及其应用简介

  •   一、概述  1、磁阻概念:材料的电阻会因外加磁场而增加或减少,电阻的变化量称为磁阻(Magnetoresistance)。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始,磁阻发展经历了巨磁阻(GMR)、庞磁阻(CMR)、异向磁阻(AMR)、穿隧磁阻(TMR)、直冲磁阻(BMR)和异常磁阻(EMR)。  2、磁阻应用:磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、
  • 关键字: 隧道磁阻  TMR  

磁传感技术市场及应用

  • 国内磁传感器厂商主要在做四种磁传感器,即霍尔效应、AMR、GMR和TMR。这四种产品主要分成消费类、车载以及工业和能源三个大的市场。本文根据“中国(上海)国际传感器技术与应用研讨会”之“磁传感技术及应用”研讨会的相关报告,介绍了磁传感器的市场发展状况,并介绍了新一代传感器的特性及要求。
  • 关键字: 传感器厂商  霍尔效应  AMR  GMR  TMR  201611  

基于FPGA的TMR方法改进策略

  • 基于FPGA的TMR方法改进策略,基于SRAM的FPGA对于空间粒子辐射非常敏感,很容易产生软故障,所以对基于FPGA的电子系统采取容错措施以防止此类故障的出现是非常重要的。三模冗余(TMR)方法以其实现的简单性和效果的可靠性而被广泛用于对单粒子翻转(
  • 关键字: 改进  策略  方法  TMR  FPGA  基于  
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