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sic肖特基势垒二极管 文章 进入sic肖特基势垒二极管技术社区

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率

  • 中国上海,2023年7月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBDs)——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品(均为650V)中有7款产品采用TO-220-2L封装,其余5款采用DFN8×8封装,于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V(典型值)低正向电压,比上一代的1.45V(
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sic肖特基势垒二极管介绍

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