- 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43
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意法半导体 MDmesh MOSFET
- 意法半导体的MDmesh™ DM6 600V
MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6
MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr)，最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外，极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS
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意法半导体 MDmesh
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