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超高压 SiC 与超共源共栅

新应用不断涌现，这就需要有高压开关技术，而且与硅 IGBT 和 IGCT 技术相比，该技术的系统平衡成本和运行损耗要显著降低。该技术的应用范围非常广，从固态变压器、中压电机驱动器到智能电网应用（FACTS、STATCOM）和高压直流断路器均包含在内。SiC MOSFET 被认为是在不久的将来颠覆这一领域的绝佳选择，UnitedSiC 提供了独特的方法来加速采用基于宽带隙的高压开关。这种方法被称为超共源共栅 (Supercascode)。我们将这种方法及其已证明的性能与硅技术和 SiC MOSFET&nbs
关键字：硅 IGCT

IGBT与IGCT、IEGT在轻型直流输电领域的应用对比

IGBT与集成门极换流晶闸管IGCT对比受当前技术水平限制，IGBT的工作电流相对较小，比较常用的中高压大功率IGBT有...
关键字： IGBT IGCT IEGT

一种用IGCT实现高压大功率变频器的方法

1 引言　　目前，高压大功率变频器是一个十分重要的应用领域。而基于igbt的变频器其功率等级最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高压变频器用igbt就难以实现。目前，abb等国际大公司均推出了基于igct的三电平
关键字：变频器方法大功率高压实现 IGCT

基于IGCT的0.1Hz高压实验电源的研究

随着国民经济的发展，城市供电中越来越多的运用交联聚乙烯（XLPE）电缆来代替原有的架空线，以节省空间并减少电磁噪声的污染。
关键字：电源研究实验高压 IGCT 0.1Hz 基于

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igct介绍

集成栅极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件，具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术，因而使动态损耗降低了约50 [ 查看详细 ]