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cmos振荡器 文章 进入cmos振荡器技术社区

IDT推出全球首款超低功耗CMOS振荡器

  • 拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.),推出业界首款拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求±50ppm时间基准的广泛应用中,节省功耗高达75%,包括计算、通信和消费市场。
  • 关键字: IDT  CMOS振荡器  CrystalFree  

IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振荡器

  •   致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出业界精度最高的全硅 CMOS 振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。   IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术,可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。
  • 关键字: IDT  CMOS振荡器  

IDT 推出业界精度最高的全硅 CMOS 振荡器

  •   致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出业界精度最高的全硅 CMOS 振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。   
  • 关键字: IDT   CMOS振荡器  
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cmos振荡器介绍

  CMOS振荡器是基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的一种基本的波形发生电路,在有些应用中,CMOS振荡器可以为那些要求严格的产品改善性能;而在另外一些应用中,通过它们就能够设计出全新的无线产品且避免使用非半导体器件。  CMOS 振荡器电路的工作原理图 如图所示。M1~ M5, M7, M8, R1构成了单位增益缓冲器 ,使Vol Vref ,决定了振荡器的充电电流基I1( I 1 = Vo [ 查看详细 ]

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