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低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求

  • 本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。950V IGBT结构基于微沟槽理念，与典型1200V技术相比，新型950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期推出的无基板Easy3B解决方案实现了全集成1500V ANPC拓扑结构。该拓扑结构的额定电流达到400A，而杂散电感低至仅15nH。1.引言提升开关速度、提高开关频率和增大功率密度是目前现代功率半导体器
  • 关键字： Infineon  ANPC  

满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块

  • 本文提出了一种优化的ANPC拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合，实现成本效益。市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块，适用于高度紧凑型、高效率1500-V并网逆变器。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下，可以实现输出功率达到200kW以上。此外，相应的P-Q图几乎呈圆形。这意味着，该功率模块适用于储能系统等新兴应用。1.引言过去十年，光伏产业经历了大规模增长。规模经济效应和光伏系统技术领域的创新，促使平准化度电成本降低
  • 关键字： Infineon  并网逆变器  ANPC  
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