- 近两年来，碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)进入应用领域。SIC半导体具有宽禁带，高击穿电场，高饱和漂移速度和高热导率的优异特性正在推动工业领域对功率设备在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管开关频率，从而降低功率设备中感性元件以及容性原件的体积。使功率设备的体积减小到原来不可思议的地步。但是更高的频率，更高的功率密度，要求周边器件也能适应更高的工作频率，在更宽的温度范围以保证稳定的工作状态。ROHM在SIC发展最初阶段提出了可应用SIC产品使用的磁
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RHOM 磁耦技术 隔离器
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