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碳化硅mosfet 文章

基本半导体发布国内首款工业级碳化硅MOSFET

  •   新年伊始,基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,该产品各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布,标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展,自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。  近年来,基于硅(Si)、砷化镓(GaAs)半导体材料的功率器件受材料性能所限,正接近物理极限,产业发展进入瓶颈期。而以碳化硅为代表的第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点,更适合制作高温、高频、抗辐射
  • 关键字: 工业级碳化硅MOSFET  第三代半导体  碳化硅MOSFET  
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碳化硅mosfet介绍

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