砷化镓 文章
据海威华芯官方消息，公司已经开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
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海威华芯 砷化镓 Foundry
在高科技产业领域，核心基础材料往往扮演着极为关键的角色，也是需要持续高投入、承受高风险、费时费力的一大领域。然而，拥有核心材料的厂商往往把持着各大产业的上游，对整个行业拥有很高的话语权，其一举一动可能给整个行业带来一场震动。
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砷化镓
苹果(Apple)WWDC 2018到来，供应链业者直言，主要观察重点在于iOS 12软件更新，其中，增强现实(AR)、虚拟现实(VR)应用软件可望出现进展，苹果推动3D传感功能不遗余力，软硬件结合更是苹果的强项，市场估计今年下半新款iPhone甚至iPad都会搭载3D传感器的Face ID功能，而除了生物识别功能外，AR相关软件应用才是3D传感未来潜力领域。就零组件角度而言，苹果3D传感的发展决心，更将带动Android阵营跟进，砷化镓厂商，如台系三五族晶圆代工龙头稳懋、宏捷科、磊芯片业者全新、英特
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砷化镓 3D传感器
稳懋在产业中具有龙头地位，同时在技术与客户关系上都处于领先状况，产业整体状况4G智慧型手机高速成长期已过，在下一波风潮来之前会处于较为低迷，在IoT与5G时代到临的前提之下，砷化镓市场的成长前景依然稳健，端视稳懋是否能维持其竞争能力。
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砷化镓 晶圆
本文介绍了氮化镓的发展历程，并与砷化镓和LDMOS进行对比与分析，介绍了氮化镓在军事、无线基站及射频能量等方面的特性和未来发展的广阔市场。
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氮化镓 砷化镓 LDMOS 201701
三安光电11日早间公告，公司全资子公司厦门市三安集成电路有限公司(以下简称“三安集成公司” )拟以自有货币资金合计美金226，000，000元的交易总价合并英属开曼群岛商环宇通讯半导体控股股份有限公司(以下简称“GCS”或“环宇公 司”)，取得GCS以完全稀释基础计算的全部股权，包括但不限于已发行普通股(含限制员工权利新股)、可转换公司债全数转换后发行股份及员工认股权凭证全 数行使后发行股份，双方签署了《意向书》。双方同意于201
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三安光电 砷化镓
尽管存在硅的竞争，但无线通信的需求将继续推动砷化镓市场发展。
据美国市场研究和咨询公司——信息网络公司称，强大的无线通信需求使砷化镓集成电路市场2015年增长率超过25%。
每个手机都包含基于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)技术的功率放大器(PA)。一个2G手机包含一个PA，而一个3G手机通常含有多达五个PA。苹果的4G智能手机6S包含六个PA：Avago的ACPM-7600和ACPM-8010，高通的QFE2320和QFE2340，和Skyworks的sky853
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砷化镓 集成电路
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。
拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构，在体内能带存在能隙，表现出绝缘体的行为;表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱，因而是金属态。这种量子物态展现出丰富而新奇的物性，如量子自旋霍尔效应、磁电耦合、量子反常霍尔效应等。由于
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半导体 砷化镓
美国伊利诺伊大学的研究人员正通过在一片硅片上“生长”多层的材料，来开发成本更低的砷化镓薄膜太阳能电池。
砷化镓是一种半导体化合物，可以用于制作太阳能电池，并且在能量转化效率方面，要比传统硅基太阳能电池更有潜力。
目前，研究人员已经使转化效率达到了25%到30%。然而，高昂的制造成本仍然是该技术商业化的巨大阻碍。
该学校材料科学工程与化学系的教授John Rogers, 和另一位教授Xiuling Li，正在寻找成本更低的工艺，来生产砷化镓薄膜。同时，他们还希望
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砷化镓 薄膜太阳能电池
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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PA 砷化镓 CMOS 单芯片手机 SiCMOS
NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备（terminal）的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。
新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，新产品还具有高频信号输出
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工业控制 砷化镓 开关IC NEC 工业控制
ANADIGICS一家无线及宽带通讯综合方案供应商，宣布其已与昆山高新技术产业园区（KSND）签订了投资合同，共同在中国江苏省昆山市为 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先进的六英吋（6"）砷化镓（GaAs）集成电路（IC）晶圆制造厂，其目的是在新泽西州沃伦市该公司主要的晶圆制造厂以外扩大晶圆生产的能力。
预计 ANADIGICS, Inc. 将从2007年第四季度起的两年内，包括2009年第一季度的初级生产阶段，出资约一千万至一千五百万美元。ANADIGICS, Inc. 在该厂的存
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ANADIGICS 晶圆制造厂 砷化镓 其他IC 制程
2002年11月，中国电子科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径6英寸半绝缘砷化镓单晶，实现了我国直径6英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。
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电子 砷化镓
砷化镓介绍
砷化镓（英文名称为Gallium arsenide，化学式为GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物。也是很重要的半导体材料，被用来制作像微波集成电路（例如单晶微波集成电路( MMIC)）、红外线发光二极管、雷射二极管和太阳电池等元件。
砷化镓的优点
GaAs拥有一些比Si还要好的电子特性，如高的饱和电子速率及高的电子移动率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaA [
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