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开关电路 文章 进入开关电路技术社区

简单的模拟触控开关电路设计

  • 1、工作原理如下图,是利用晶体三极管开关特性的简易模拟触摸形状电路。当接通电源时,VTl-VT4均处于截止状态,继电器线圈中无电流通过,继电器常开触点断开,发光二极管VD2不亮。当用手指触摸一下“开”开关,电源经...
  • 关键字: 模拟触控  开关电路  

处理器控制电源开关电路

  • 处理器控制电源开关电路在打印机等应用中,可以用受微处理器控制的廉价瞬时接触开关来实现TOPSwitch-GX的电源通断。利用TOPSwitch-GX的低功耗远程关断特性,用很少几个外围元件就可以轻易地实现此功能,如图45所示。按钮...
  • 关键字: 处理器  控制电源  开关电路  

环形转换开关电路

超声波开关电路图

逻辑电平开关电路

  • 逻辑电平开关电路如图所示实验台右下方设有8个开关K7~K0,开关拨到“1”位置时开关断开,输出高电平。向下打到“0”位置时开关接通,输出低电平。电路中串接了保护电阻使接口电路不直接同+5V、GND相连,可有效地防止因误操作...
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与非门组成触摸锁定开关电路图

三极管开关电路PK场效应管电路优劣大不同

  •   一般我们在做电路设计时候,三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别:首先是三极管是用电流控制,MOS管属于电压控制;然后就是成本问题,三极管便宜,MOS管贵;其次是功耗问题,三极管损耗大;最后是驱动能力,MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。   MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢,电压控制快
  • 关键字: 开关电路  场效应管  

一种简单的模拟接触开关电路设计

  •   在学习了一段时间的电路知识后,相信很多朋友都希望能够亲自动手制作电路。但是由于知识与经验的限制,过于复杂的设计并不适合初学者动手,一些较为简单的设计反而是更好的选择。本文就将为大家介绍一款简单的模拟接触开关电路图,感兴趣的朋友快来看一看吧。        如图1,是利用晶体三极管开关特性的简易模拟触摸形状电路。  当接通电源时,VTl-VT4均处于截止状态,继电器线圈中无电流通过,继电器常开触点断开,发光二极管VD2不亮。当用手指触摸一下“开”开关,电源经手指电阻(约几
  • 关键字: 开关电路  三极管  

三极管的开关电路分析(12V—SW)

  •       在这里做个小电路的分析,大家都可能用到,这里把模型分解一下,并介绍一下计算方法和各个元件的作用。        Q1:主开关,主要作用是提供12VSW电流,特点饱和时Vec必须很小,热阻不能太大。  Q2:副开关,主要作用是旁路Q1,在MCU置高电平时导通,ce拉低使Q1工作。  R1:保证MCU无输出的时候电路不工作。  R2:限制电流,给Q2一个工作电流。  C1:去除干扰,防止Q1意外导通。  下
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【必看】这些三极管开关电路改良措施经常用到

  •   三极管开关电路作为一种被广泛应用在开关电路模式,其本身具有设计简单、工作稳定等特性。然而,在实际运用中,工程师也需要依据环境要求,对三极管开关电路进行相应的改良,使其更加适合设计条件的需要。在今天的文章中,我们将会为大家分享一些比较经常用到的开关电路改良措施,希望能够对各位工程师的工作有所帮助。  在一些对三极管开关电路动作速度要求较高的环境,例如通讯领域,要求开关电路需要具备快速切换动作的特性,因此我们也就必须采取相应的改良措施,以加快三极管开关的切换速度。下图中,图1为一种常见的切换速度改良方式,
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三极管开关电路以及深度饱和影响

  •   众所周知,三极管不仅可以用在放大电路上,在开关电路中也有非常广泛的应用。对于三极管,我们不仅仅要理解它的输出特性曲线,更要弄清楚它的原理。三极管开关电路中,是让三极管工作在饱和截止态,即集电结正偏,发射结正偏与集电结反偏的两种状态来表明开关状态。   如下图为一个简单的开关电路        通过1脚的电压输入来控制开关管的开关。   在开关电路中,饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度,如下图框框中的即为深度饱和带来的延迟:        饱和电路在基极电
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一个小型晶体管开关电路的无聊分析

  •   Q3是一个PNP型开关,此开关控制另一PNP型开关Q4,Q5是另另一NPN型开关,与本文无关。   实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止,反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时,Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时,往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描,R27从100k变化到10M,结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了,而且R29的电流不会降低太多,也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通,此时Q3对R29分压
  • 关键字: 晶体管  开关电路  

三极管的开关电路分析(12V—SW)

  •   简介:在这里做个小电路的分析,大家都可能用到,这里把模型分解一下,并介绍一下计算方法和各个元件的作用。   在这里做个小电路的分析,大家都可能用到,这里把模型分解一下,并介绍一下计算方法和各个元件的作用。        Q1:主开关,主要作用是提供12VSW电流,特点饱和时Vec必须很小,热阻不能太大。   Q2:副开关,主要作用是旁路Q1,在MCU置高电平时导通,ce拉低使Q1工作。   R1:保证MCU无输出的时候电路不工作。   R2:限制电流,给Q2一个工作电流。
  • 关键字: 三极管  开关电路  

场效应管开关电路

  •   导读:本文主要介绍场效应管的开关电路。场效应管相信大家都很熟悉了,由于其开关特性,常常被用到各种电子电路中,但是在电路中它又是怎样工作的呢?就让小编为大家解释一下吧! 1.场效应管开关电路—场效应管   场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称,它是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于它仅靠半导体中多数载流子导电,有时被称为单极性晶体管。场效应管不但具有
  • 关键字: 场效应管  开关电路  场效应管开关电路  

晶体管开关电路的加速电容器

  • 晶体管开关电路的加速电容器,饱和开关的问题点:OFF延时时间如图1所示,使场效应晶体管开关动作时,加给晶体管的基极电流IB:是IB=IC/hFE,决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压V
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