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半导体工艺监测 文章 进入半导体工艺监测技术社区

助力提升芯片质量和产量,半导体工艺监测中的光谱应用

  • 根据检测工艺所处的环节,IC集成电路检测被分为设计验证、前道量检测和后道检测。前道量测、检测均会用到光学技术和电子束技术,其中光学量测通过分析光的反射、衍射光谱间接进行测量,其优点是速度快、分辨率高、非破坏性。后道检测工艺是芯片生产线的“质检员”,根据工艺在封装环节的前后顺序,后道检测可以分为CP测试和FT测试。在以上测试中,光谱仪可以用于膜厚测量、蚀刻终点监控等工艺中。(一)膜厚测量半导体集成电路的生产以数十次至数百次的镀膜、光刻、蚀刻、去膜、平坦等为主要工序,膜层的厚度、均匀性等直接影响芯片的质量和产
  • 关键字: 膜厚测量  海洋光学  半导体工艺监测  光谱应用  
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半导体工艺监测介绍

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