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品佳集团积极推广 NXP高效能超低噪声的微波晶体管

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作者:时间:2007-05-10来源:电子产品世界收藏

  近期积极推广高效能超低噪声的,高频应用(20GHz以下)的NPNBFU725F 可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数,非常适用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones;此外,其高切换频率的特色可用作 10GHz ~ 30GHz 之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案。

  BFU725F 采用了创新的硅锗碳 (SiGe:C) BiCMOS制程–QUBiC4X,这是专门为符合现实生活中的高频应用要求所设计的,可提供优越的高功率增益及动态范围组合性能,这个晶体管可谓将砷化镓 (GaAs) 的性能及硅锗碳的可靠性结为一体,但不需像使用砷化镓组件时还要再增加负偏置电压 (negative biasing voltages)的设计,所以在产品应用上更能为客户带来成本效益,此产品目前巳有样品可提供申请,预计于2007年第三季可量产供货。

 

Key Features
‧Very low noice of 0.69dB at 6GHz
‧High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
‧High switching frequency – fT > 100GHz, fmax > 150GHz
‧Plastic surface mounted package, SOT343F

Key Benefits
‧Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
‧High gain of 10dB at 18GHz
‧SiGe:C process ensures high switching frequency
‧Cost-effective alternative to GaAs devices

Key Applications
‧GPS system
‧DECT Phone
‧2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
‧Satellite Radio
‧WLAN and CDMA applications
‧Low-noise microwave applications

Quick reference date for the BFU725F (SOT343F)
 

Transition frequency as a function of collector current (typical values)
 

Gain as a function for frequency (typical values)
 



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