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新型智能功率开关IR4010及其应用

作者:时间:2012-03-17来源:网络收藏
 由图1看出,电源调节是用二个比较器开关实行控制.比较器COMP.1控制MOSFET关断,当VTH(1)sup3;0.7V时关断MOSFET.比较器COMP.2控制MOSFET接通,当VTH(2)pound;1.45V 时接通MOSFET.通过改变光耦三极管中流过的电流来控制VTH(1) .VTH(2)变化,同时改变TON、TOFF时间.光耦中电流越小,TON .TOFF时间就越长,工作频率降低.反之,工作频率升高.由此实现变频工作控制.

图2 24V 2.5A电源电原理图


  图2电源原理图中,D3 D5 C6 C8 R8电路对反激波形进行整形,整形后的波形为梯形波(U5),此波下降沿降至1.45V时, COMP.2反转,经延时Tt 后触发MOSFET,此时实现零电流接通。

  虽然电路是变频工作,但并非是谐振电路那样的频率调制(PFM).因为随着控制电流的改变,TON变化速率比TOFF变化速率大,所以此电路实际上是改变占空比的占空比调制。


3 应用电路举例

  IR4010主要用AD/DC开关电源,220VAC输入时可输出60W,通用输入时(85~265VAC)只能输出30W,现给出60W AD/DC一例.

  1.电源性能要求

  输入电压=220VAC±20%  50Hz

  输出电压=24VDC/2.5A

  电网调节 =0.1%

  负载调节 =0.3%

  输出脉动与尖峰=200mVP-P

  保护功能:过流,过压,过温保护

  2.电路设计

  电源采用单端反激式电路,不连续工作方式,因为功率较大,精度要求较高,所以选用次级反馈,TL431检测,光耦隔离方案.主电路,检测反馈电路等与其他反馈电路设计基本相同,这里重点对变压器设计作些说明.
  
  变压器设计是电源设计的关键,特别是变频工作电路,正确选择工作频率尤为重要.这里把电路额定工作状态下的工作频率作为变压器的设计频率.电路额定工作频率选在50KHz-80KHz对IR4010的利用较为有利,因为IR4010若工作在100KHz或更高频率,器件发热利害,电源效率降低,可靠性差.该电源工作频率选为50KHz.另外,选定偏压VB=18V(16-22V之间)以决定偏压绕组参数.输出60W功率,变压器铁心选用EI33.

  设计方法是借用TOP开关反激电源变压器设计扩展表.输入IR4010,变压器铁心等相关参数.
 
  VACMIN=176V  VACMAX=264V  FL=50Hz
  
  Fs=50000Hz  Vo=24V    P0=60W

  h=0.8     Z=0.5     VB=18V

  TC=3mS    CIN=47mF   VOR=135V

  ILIMIT=2.7A  VDS=10V    VD=0.7V

  VBD=0.7V   KRP=1.0    AE=1.185CM2

  LE=6.75CM   AL=4500NH/T2 BW=17mm

  M=2mm     L=2层     NS=8匝

  然后得到变压器制作参数为:

    初级绕组匝数=44匝(f0.51线)

    次级绕组匝数=8匝(f0.45acute;12并绕)

    偏压绕组匝数=6匝(f0.45线)

    铁心气隙=0.34mm

    初级电感=825mH

  3.电路说明

  图2是48V/2.5A电源原理图.图中输入整流滤波电路,输出整流滤波电路,检测反馈电路等与通常反激电路没有什么差别.这里只对控制部分略加说明.D4 R7 R6 C7产生辅助偏压电源.R1是启动电阻,提供电路启动偏流.D5 R8 C8 C6是变压器反激电压波形整形电路.IR4010引线5上整形后的波形是一种梯形波.当IR4010的V5电压下降至VTH(2)(1.45V)时,经延时Tt后接通内部MOSFET功率开关,并由此决定功率开关关断时间(TOFF).同时TOFF受控于光耦晶体管中的反馈电流.反馈电流越大,TOFF越小,工作频越高.最大关断时间被限定在TOFF(MAX)pound;45-55mS.

  R4检测IR4010中功率MOSFET源极电流,当R4上电压上升达到VTH(1)(0.7V)时,经R5关断功率MOSFET.R4中电流决定开关管开通时间TON.同时,TON受控于光耦三极管中反馈电流.反馈电流变大,TON变小,工作频率上升.虽然整个电路工作为,但并非谐振电路的频率调制(PFM).该电路实质上是靠占空比调制,因为实现电网,负载调节本质上是靠占空比变化.

  


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