基于KP101 T8非隔离EMC低成本方案

美国KP101对比OZ8022V

对比1)：CBB电容：KP101采用154//104，OZ8022V采用154//154，此电容影响150KHZ位置的值，CBB电容越大，

150KHZ 处的余量越大。对比结论：如果采用同等大小的 CBB 电容，两个方案此处余量相当，但是 CBB 电容增大会

影响电源的PF值，测试结果KP101 PF值0.95，OZ8022V PF值0.92.

2)EMI 电感:KP101 采用 2 个 1.5mH 的差模电感，OZ8022V 采用两个 4.4mH 差模电感，此时 250K-1.5MHZ 处余量两

者相当。利弊分析：感量增大，同等磁芯的情况下电感线径变细，容易造成电感的饱和，低压功率增加，发热严重。

可能造成炸机。

3)PCB—layout：OZ8022V 对线路依赖比较大，高低压恒流效果差，需依靠RC 电路进行调节。COMP 脚需要增加小

MOS，否则短路时恢复电流可能不正常，有可能造成炸机。KP101不需要这些器件外围相对简单很多。

对比4)上图可见：KP101余量大于0Z8022V。

对比5)测试结果表明：同样在输出72V235mA条件下，KP101效率为93%，OZ8022V效率91.2%，KP101效率比OZ8022V高1-2%.

对比 6)开路短路测试：KP101 开路短路是直接锁死 VCC 电压，当输出电压高于或低于门限电压时，VCC 锁死。测试表明：开路短路功率保持在 0.5W 左右。短路恢复时 VCC 重启工作，可自恢复，开路时不能自恢复，需要手动重启电源。