精确把握DS18B20读写时序延长连接距离

换位理解DSl8B20传感器对读写时序的要求
图2是对DS18B20传感器读写时序在主机处的波形图，如果是在DS18B20处的话，其波形图应如图5所示。考虑实际长短数据线的影响，对读写时序的要求理解为：对DSl8B20 写数据时，主机产生读时间片。当主机把I／O数据线在7μs时间内从高逻辑电平拉至低逻辑电平时，维持时间最少1μs就产生写时间片。如写入0，则应维持低电平45～60μs以上，如写入1，应在第8μs后释放数据线，在7μs 时间内拉到为逻辑高电压， 并维持45～60μs以上。写时间片必须有最短为60μs的持续期，在各写周期之间必须有最短为1μs的恢复时间。从DS18B20 读数据时，主机产生读时间片。主机在7μs时间内把数据线从逻辑高电平拉至低电平，产生读时间片。数据线必须保持在逻辑低电平至少1μs；来自DS18B20的输出数据在读时间片下降沿之后15μs有效。因此，在产生读时间片8μs后主机必应把I／O 数据线释放，由上拉电阻将数据线拉回至逻辑高电平，主机在15μs末期对数据线采样，如果线为高电平，就读为1，如果线为低电平，便读为0。读时间片的最短持续期限为60μs，各个读时间片之间必须有最短为1μs的恢复时间。在考虑到线缆对波形的延迟和DS18B20传感器发送数据表现的典型时间，在实际操作中，建议将主机对数据线的采样滞后5～9μs，可提高正确读取DS18B20的可靠性。

对DS18B20的读写程序探讨
经过上面的分析和了解后，参见图1，对接在P1.0口上的DS18B20传感器读写子程序进行修改，分别见“写子程序”和“读子程序”。将修改后的对DS18B20传感器读写子程序移入主程序并写入89C51单片机，对用RVV3×0.5mm2型线缆为传感器连线，用1～50m传感器连线，在高、低温环境条件下进行了试验验证，温控仪工作正常，稳定可靠。题图为我公司温控仪的照片。