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低抖动Q开关光电转换及触发系统设计

作者:时间:2011-05-11来源:网络收藏

2.2 快脉冲产生电路
Q驱动信号要求前沿小于2.5 ns,脉宽10 ns至数μs,由发送端光信号决定。IXYS公司的IXDD415是一种用以驱动高速MOSFET门电路的驱动芯片,其主要特点包括:宽输出电压8~30 V,典型前、后沿小于3 ns,典型延时30 ns,最小脉宽6ns,2路输出且单路最大驱动电流达15 A,芯片内部集成过流保护电路,与TTL或CMOS电平兼容。其芯片引脚及说明分别如图3,表2所示。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/179128.htm

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作为高速驱动芯片,IXDD415的应用须注意:回路电感,旁路电容,地线。为了避免输出脉冲出现严重LC振荡,输出引脚与负载或电缆连接端距离不超过9.5mm,且布线应尽可能宽,以减小回路电感。该驱动芯片输出脉冲信号的前沿越快,则越小,同时为了获得足够的驱动能力,应使IXDD415有足够低的输出阻抗,因此在IXDD415的电源输入引脚引入低电感,低电阻和大的脉冲电流输出能力的旁路电容。IXDD4 15地线的良好处理除了影响到芯片输出的外,还会影响到输出脉冲的后沿,应大面积铺地且与模拟地的连接尽可能短。



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