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一、两级带过流保护-差共模浪涌保护方案
1、方案采用多级保护的方式,拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果,同时具有更强的设计兼容性;
2、初级防护通过在电源正负之间并接浪涌电流IPP承受能力较强的压敏电阻做差模保护;
3、过压敏电阻后串接自恢复保险丝做后端负载过流、短路及TVS管失效异常保护;
4、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦,使前端大通流,高电压的MOV能够快速响应;
5、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护;
6、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管,提供浪涌泄放路径;
7、产品若涉及到绝缘耐压测试,可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现;
8、通过选择不同的保护器件,可以满足不同等级的测试保护需求。
推荐产品:瞬态抑制二极管/标准产品——SMCJ54CA、SMCJ51A、SMDJ54A、SMCJ51CA、SMCJ48A、SMDJ54A、SMCJ54A、SMCJ48CA、SMDJ51CA、SMDJ51A、SMDJ48CA、SMDJ48A
陶瓷气体放电管——UN2E5-90LL、UN2E5-90L、UN2E5-90LSMD、UN2E5-150LL、UN2E5-150L、UN2E5-150LSMD、UN2E5-800LL、UN2E5-800L、UN2E5-800LSMD、UN2E5-1000LL、UN2E5-1000L、UN2E5-1000LSMD、UN2E8-1000LL、UN2E8-1000L、UN2E8-800M、UN2E8-800ML、UN2E8-800MSMD、UN2E8-90HL、UN2E8-150M、UN2E8-150ML、UN2E8-150MSMD、UN2E8-90M、UN2E8-90ML、UN2E8-90MSMD
压敏电阻/插件类——20D820K、20D820KJ、20D820KYC、20D121K、20D121KJ、20D121KYC、25D121K、25D121KJ、25D820K、25D820KJ
自恢复保险丝/插件型——UN135-050、UN135-060、UN135-080、UN135-100、UN135-120、UN135-160、UN135-200、UN135-250、UN135-300、UN135-400、UN135-500、UN135-550、UN135-650、UN135-750、UN135-900、UN135-1000、UN135-1100、UN135-1250、UN135-1350、UN135-1600、UN135-1850、UN135-2000、UN135-2500、UN135-3000、UN135-3500、UN250-020、UN250-030、UN250-040、UN250-050、UN250-060、UN250-080、UN250-120、UN250-160、UN250-200、UN250-300、UN250-250、UN250-330、UN250-400、UN250-500、UN250-550、UN250-600、UN250-650、UN250-750、UN250-800、UN250-900、UN250-1000、UN250-1100、UN250-1250、UN250-1350、UN250-1600、UN250-1850、UN250-2000、UN600-110、UN600-150、UN600-160、UN600-200
二、两级带EMI抑制-差共模浪涌保护方案
1、方案采用多级保护的方式,拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果,同时具有更强的设计兼容性;
2、初级防护通过在电源正负之间并接压敏串放电管做差模保护,陶瓷放电管的高阻抗,能有效降低并联支路的漏电流,提升方案的可靠性;
3、通过共模电感、X电容、Y电容组成的EMI滤波器能有效抑制EMI干扰;
4、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦,使前端大通流,高电压的MOV和GDT能够快速响应;
5、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护;
6、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管,提供浪涌泄放路径;
7、产品若涉及到绝缘耐压测试,可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现;
8、通过选择不同的保护器件,可以满足不同等级的测试保护需求。
推荐产品:瞬态抑制二极管/标准产品——SMCJ48A、SMCJ48CA、SMCJ51A、SMCJ51CA、SMCJ54A、SMCJ54CA、SMDJ54CA、SMDJ54A、SMDJ51CA、SMDJ51A、SMDJ48CA、SMDJ48A
陶瓷气体放电管——UN2E5-90L、UN2E5-90LL、UN2E5-90LSMD、UN2E8-90M、UN2E8-90ML、UN2E8-90HL、UN2E8-90MSMD、UN2E5-150LL、UN2E5-150L、UN2E5-150LSMD、UN2E5-800LL、UN2E5-800L、UN2E5-800LSMD、UN2E5-1000LL、UN2E5-1000L、UN2E5-1000LSMD、UN2E8-1000LL、UN2E8-1000L、UN2E8-800M、UN2E8-800ML、UN2E8-800MSMD、UN2E8-150M、UN2E8-150ML、UN2E8-150MSMD
压敏电阻/插件类——20D121K、20D121KJ、20D121KYC、20D820K、20D820KJ、20D820KYC、25D820K、25D820KJ、25D121K、25D121KJ
三、零漏电高可靠性/带极性反接保护-差共模浪涌方案
1、方案采用多级保护的方式,拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果,同时具有更强的设计兼容性;
2、初级通过在电源正负之间并接GMOV复合型浪涌保护器件做差模保护,GMOV在电路中可以实现几乎零漏电,提升防护电路的使用寿命;
3、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦,使前端大通流,高电压的GMOV能够快速响应,泄放大的浪涌能量;
4、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护;
5、在TVS管保护后级串接PMOS管或者低压降的肖特基二极管做极性反接保护,低内阻的MOS管可以有效降低功率损耗,减少发热量;
6、靠近芯片端并联一颗低VF的肖特基二极管,有利于负压浪涌防护与模拟雷击浪涌测试;
7、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管,提供浪涌泄放路径;
8、产品若涉及到绝缘耐压测试,可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现;
9、通过选择不同的保护器件,可以满足不同等级的测试保护需求。
推荐产品:瞬态抑制二极管/标准产品——SMCJ48A、SMCJ48CA、SMCJ51A、SMCJ51CA、SMCJ54A、SMCJ54CA、SMDJ54CA、SMDJ54A、SMDJ51CA、SMDJ51A、SMDJ48CA、SMDJ48A
陶瓷气体放电管——UN2E5-90LSMD、UN2E5-150LL、UN2E5-150L、UN2E5-150LSMD、UN2E5-800LL、UN2E5-800L、UN2E5-800LSMD、UN2E5-1000LL、UN2E5-1000L、UN2E5-1000LSMD、UN2E8-1000LL、UN2E8-1000L、UN2E8-800M、UN2E8-800ML、UN2E8-800MSMD、UN2E8-90HL、UN2E8-150M、UN2E8-150ML、UN2E8-150MSMD、UN2E8-90M、UN2E8-90ML、UN2E8-90MSMD
压敏电阻/GMOV——14D820K-GB、14D121K-GB
肖特基二极管——SS110G、SS210GF、SS210G、SS310GF、SS310G、SS510GF、SS110GF、SS510G、SS210BGF、SS310BGF、SS510BGF、SS210BG、SS310BG、SS510BG、SS310CG、SS510CG、SS115GF、SS215GF、SS315GF、SS515GF、SS115G、SS215G、SS315G、SS515G、SS215BGF、SS315BGF、SS515BGF、SS215BG、SS315BG、SS515BG、SS315CG、SS515CG、SS120GF、SS220GF、SS320GF、SS520GF、SS120G、SS220G、SS320G、SS520G、SS220BGF、SS320BGF、SS520BGF、SS220BG、SS320BG、SS520BG、SS320CG、SS520CG
功率 MOS——UN1003P036-PD56
符合标准要求:IEC 61000-4-2、EN 61000-4-2、GB/T 17626.2、IEC 61000-4-5、EN 61000-4-5、GB/T 17626.5
以上展示EMC防护方案仅供参考,如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制,请随时与优恩半导体联络,我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和EMC解决方案。
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