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存储巨头错位冲刺:谁在进攻,谁在防守?

发布人:ht1973 时间:2026-04-23 来源:工程师 发布文章

在英伟达下一代Rubin架构即将发布之际,全球存储大厂已进入HBM4产能爬坡的冲刺阶段。据TrendForce集邦咨询最新分析,受 HBM4验证进度不及预期、液冷散热方案优化难度较大等因素影响,搭载Rubin架构的英伟达高端GPU出货占比,已从此前预估的29%下修至22%。


这一关键变量的调整,打乱了存储原厂在HBM4上的投产与交付节奏,三大厂商策略出现明显分化:三星正试图通过大幅调价和激进制程抢占先机,SK海力士则选择调降短期出货量以优先稳固当前的市场版图,美光仍利用能效差异化寻找突围点。

三星上调HBM4逻辑裸片代工价格

近日,据《金融新闻》报道,三星电子自2026年初以来已将HBM4逻辑裸片(Logic Die)的代工价格上调了约40%至50%。

上调价格的底气源于其4nm FinFET工艺良率的提升与性能的稳定。在目前的HBM4架构中,三星采用了1c(10nm级第六代)DRAM核心芯片搭配自研的4nm逻辑裸片。目前,该裸片已开始出货,预计从2026年下半年起将显著贡献代工业务收入。

尽管逻辑裸片进展顺利,但整体良率仍处于攻坚阶段。据《朝鲜日报》(ChosunBiz)报道,三星HBM4 DRAM的整体良率目前预计仍低于60%。这促使公司计划在下半年将良率提升至接近成熟的水平,以增强其服务包括英伟达在内的关键人工智能客户的能力。

在布局当下的同时,三星已将视线投向了更遥远的代际竞争。3月中旬的消息显示,三星已确认第八代HBM5的底层芯片将直接导入2纳米制程;而对于更长远的第九代HBM5E,则计划提前应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的核心芯片。这种“工艺抢跑”策略,反映了三星试图通过制程领先来拉开与追赶者差距的意图。

SK海力士计划降低HBM4出货量

作为当前HBM市场的领军厂商,SK海力士的现状体现为在维持既有订单供应与推进下一代技术研发之间的平衡。

ZDnet报道称,SK海力士计划降低今年向英伟达供应HBM4的出货量,预计比原计划减少约20%至30%。

正如SK海力士CEO近期所言,HBM3E目前仍是主导产品,HBM4预计将于今年下半年开始放量。业内分析认为,这一调整并非技术受阻,而是为了优先保障英伟达Blackwell平台(其出货占比已提升至 71%)对HBM3E的旺盛需求。由于Rubin平台在供应链端仍存在验证窗口期,SK海力士顺势优化了产能结构。

在研发端,SK海力士并未放慢脚步。据dealsite披露,其用于1c工艺的EUV设备投资已增加了约三倍,目标是为明年下半年推出的“Vera Rubin Ultra”平台提供HBM4E核心芯片。

业内人士透露,SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品,预计到年底将确保约19万片晶圆产能。

此外,SK海力士在今年三月的GTC大会上展示了其优化的HBM4样本,凭借2048 I/O接口实现了前代2.54倍的带宽,进一步巩固了其作为英伟达核心供应商的地位。

美光利用能效差异化寻找侧翼突围点

美光在三强竞争中采取了侧向突破的策略,侧重于在能效比和物理堆叠规格上形成差异化。

在英伟达GTC 2026大会上,美光宣布其HBM4 36GB 12H(12层堆叠)产品已正式进入高量产阶段。该产品专为英伟达Vera Rubin平台量身打造,单栈带宽突破了2.8 TB/s,较前代HBM3E提升了约2.3倍。

对于受限于电力配额与散热瓶颈的云服务商而言,美光通过技术优化实现的20%以上功耗效率提升,正成为其在AI基础设施市场中的核心竞争力。

除了已量产的产品,美光在更高密度的封装技术上也表现出进取心。

目前,美光已领先业界向客户提供了16层堆叠(16H)48GB HBM4的早期样品。该型号利用领先的芯片堆叠封装技术,使单颗 HBM 芯片容量较12层版本大幅提升了33%。通过这一举措,美光试图在单位体积内存容量上形成先发优势,满足大模型推理对更大内存空间的刚性需求。

HBM4如何改变行业竞争维度?

HBM4的量产不仅是一次常规的技术迭代,它正在深刻改变存储行业的商业逻辑。这种量产竞速,本质上也是AI算力时代存储产业链话语权的争夺。

英伟达CEO黄仁勋曾指出,Rubin及后续架构将采用定制化HBM。这意味着存储厂必须深度介入客户的芯片设计逻辑。HBM4通过导入复杂的逻辑底座,使其从单纯的存储器件转变为系统级模块。这种趋势极大地抬高了行业准入门槛,竞争重心正从产量规模转向系统集成能力。

博通(Broadcom)近期证实已锁定了直至2028年的HBM供应量。这种长跨度的合同模式说明,头部原厂的产能分配正与大客户的路线图深度关联。

最关键的是,由于HBM4涉及极高的堆叠层数与复杂的键合工艺,良率爬坡的速度直接决定了厂商的盈利能力。目前行业普遍面临60%良率的分水岭,谁能率先将综合良率稳定提升至80%以上的成熟区间,谁就有望在配额制供应的市场中占据利润高地。

结 语

2026年的HBM4市场已不再是简单的产能竞赛。三星在追求全产业链整合的深度,SK海力士在稳固供应链协同的广度,而美光则在挖掘效能差异化的精度。这种三强分化的现状表明,高带宽内存已进入定制化、高壁垒、长周期的新常态,这将直接影响未来几年AI算力基础设施的建设效率。

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关键词: 半导体

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