PW8205A6S MOSFET 6引脚 SOT23-6 N沟道 低导通电阻21mΩ 锂电池保护电路专用
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一、基础参数
型号：PW8205A6S
封装形式：6引脚 SOT23-6
类型：N沟道增强型 MOSFET
技术：采用先进沟槽技术，优化 RDS(ON) 和栅极电荷性能
电压与电流
漏源电压 (VDS)：20V（最大值）
连续漏极电流 (ID)：6A（@TA=25℃）
脉冲漏极电流 (IDM)：26A（最大值）
导通电阻 (RDS(ON))
@VGS=4.5V：典型值 21mΩ，最大值 24mΩ
@VGS=2.5V：典型值 27mΩ，最大值 30mΩ
（低栅极电压下仍保持低导通损耗，适合电池保护电路）
栅极参数
栅源电压 (VGS)：±12V（绝对最大值）
栅极阈值电压 (VGS(th))：0.5V~1.2V（@ID=250μA）
栅极电荷 (Qg)：低电荷设计，减少开关损耗
功耗与温度
最大功耗 (PD)：2W（@TA=25℃）
结温范围 (Tj)：-55℃~150℃
热阻 (RθJA)：62.5℃/W（SOT23-6 封装）
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关键词：
PW8205A6S