CGH40005S射频功率晶体管

CGH40005S是CREE推出的一款基于GaN HEMT工艺的射频功率晶体管，该器件专为28V工作电压设计，可稳定运行于6GHz以内频段，主要应用于宽带线性放大场景，能够满足高频通信系统对高功率、高效率及线性度的严苛需求。

核心参数

电气性能（VDD = 28 V，IDQ = 100 mA）

频率范围：2 GHz – 6 GHz

小信号增益：13 dB @ 2 GHz；11 dB @ 6 GHz

饱和输出功率：典型 8 W（Pin = 32 dBm）

漏极效率：典型 65 %（Pin = 32 dBm）

输入/输出回波损耗：参见随频率变化的曲线（datasheet 图）

极限额定值（Tc = 25 °C）

漏-源电压 VDS：120 V

栅-源电压 VGS：–10 V ~ +2 V

最大漏极电流 IDMAX：0.75 A

最高沟道温度 TJ：175 °C

热阻 RθJC：10.1 °C/W

封装与热特性

3 mm × 3 mm QFN 无引脚封装（440203）

潮湿敏感度等级 MSL-3（168 h）

应用场景

宽带放大器

l 覆盖DC-6GHz频段，适用于电信基础设施、测试仪器等需高频宽带放大的场景。

l 蜂窝基站

l 5G毫米波基站对功率和效率要求极高，CGH40006S可支持n257/n258频段（24-29.5GHz的子集），但需结合外部匹配网络扩展频段。

私人无线电与卫星通信

l 2路私人收音机发射模块、低轨卫星（LEO）通信终端等需高功率、高效率的射频前端。

测试与测量设备

l 射频信号发生器、频谱分析仪等仪器中作为功率放大单元，提供稳定的高频信号输出。

*配套评估板

CGH40006S-AMP1 演示板已预调匹配，可直接评估 28 V、100 mA 偏置下的增益、功率和效率性能。

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