据业内人士周日透露，今年第四季度韩国三星电子有望重夺全球DRAM（动态随机存取存储器）市场营收第一的宝座，超越其本土竞争对手SK海力士。

　　业内人士表示，三星10-12月期间预计将实现超18万亿韩元（约合122亿美元）的营业利润，超出市场预期。

　　三星旗下负责DRAM、NAND闪存和系统半导体业务的器件解决方案部门，预计将成为此次增长的主要驱动力。该部门预计将贡献15.1万亿韩元的营业利润，较上一季度增长166%，较去年同期大幅增长422%。

　　凭借这一超预期的盈利表现，三星有望在第四季度全球DRAM供应商营收排名中位居第一，将SK海力士挤至第二位。

　　行业分析师指出，三星近期在高带宽内存（HBM）领域努力缩小与竞争对手的技术差距，同时，数据中心等人工智能基础设施投资推动传统DRAM产品价格上涨，这两大因素共同提振了其业绩。

　　存储芯片争霸战愈演愈烈

　　DRAM市场的排名变化标志着存储芯片领域的竞争正愈演愈烈。三星曾连续33年占据DRAM市场领先地位，但在今年第一季度首次被SK海力士超越，失去了榜首位置。这一下滑主要归因于三星在HBM芯片领域落后于竞争对手。

　　SK海力士于2013年成为全球首家研发出HBM芯片的公司，此后一直主导着全球HBM市场。

　　DRAM是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存，DRAM能实现数据随机高速存取，广泛应用于服务器、手机、PC等各类需要高速数据处理的场景。

　　而HBM是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM，是人工智能 (AI) 应用的核心部件，随着AI产业爆发，其需求也迅猛增长。

　　今年第二季度和第三季度，三星的DRAM收入再次落后SK海力士。但值得注意的是，随着三星加快HBM生产并稳定良率，第三季度其与SK海力士的差距有所收窄。

　　根据行业追踪机构Omdia上月底公布的数据，由于价格上涨，今年第三季度（7-9月），全球DRAM销售额环比大增三成，SK海力士连续三季度蝉联第一。三星电子和美光分列第二和第三。

　　按照销售额来算，SK海力士第三季度在全球DRAM市场的市占率为34.1%，较前一季度的39.4%下降了5.3个百分点。当季，三星电子的市占率为33.7%，较前一季度的33.2%上升了0.5个百分点。两家公司之间的市占率差距从6.2个百分点缩小到0.4个百分点。

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