TGS2351-SM单刀双掷（SPDT）射频开关芯片现货库存

TGS2351-SM是Qorvo（原TriQuint）推出的一款采用氮化镓（GaN）技术制造的单刀双掷（SPDT）射频开关芯片，具备高频、高功率处理能力及快速切换特性，广泛应用于雷达、通信系统等射频领域。

核心规格

频率范围：DC – 6 GHz

功率容量：连续波 40 W（47 dBm），控制电压 0 V / –40 V

插入损耗：< 1 dB

隔离度：典型 40 dB

开关速度：tON ≤ 31 ns，tOFF ≤ 18 ns

封装：4 mm × 4 mm、24 引脚空腔型 QFN（可表面贴装）

工艺：0.25 µm GaN-on-SiC，无需外接偏置

技术特性

基于 GaN 技术：采用 0.25 微米氮化镓（GaN）工艺制造，具备高击穿电压、高电子迁移率等特性，显著提升功率处理能力和开关速度。

无铅环保设计：符合 RoHS 标准，满足环保要求。

评估板支持：可提供评估板，便于用户进行性能测试和原型开发。

应用场景

高功率射频开关：适用于需要高功率处理的射频系统，如雷达、电子战设备等。

通信系统：可用于基站、卫星通信等需要高频、高功率开关的场景。

测试仪器：在射频测试仪器中作为关键开关元件，实现信号路由和切换。

选型对比

l TGS2351-SM 与 TGS2353-2-SM：

TGS2353-2-SM 同样采用 GaN 技术，但工作频率扩展至 0.5-18 GHz，输入功率降低至 10 W，插入损耗略高（<1.5 dB），隔离度为 30 dB。适用于更高频率但功率要求较低的场景。

l TGS2351-SM 与 TGS2355-SM：

TGS2355-SM 支持脉冲功率高达 100 W，隔离度提升至 40 dB，但工作频率范围为 0.5-6 GHz。适用于需要更高脉冲功率的国防和商业平台。

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