N型功率MOSFET（N沟道增强型功率MOSFET）的工作原理基于金属-氧化物-半导体结构，通过栅极电压控制源极与漏极之间的导电沟道形成与消失，实现电流的导通与截止。

当栅极电压为零时，漏源极间加正电源，P基区与N漂移区形成的PN结反偏，漏源极间无电流流过。此时器件处于截止状态。

在栅极施加正电压（超过阈值电压Vth），P基区表面形成反型层（N型导电沟道），电子从源极流向漏极，漏极电流ID产生。导通时仅多子（电子）参与导电，属于单极型晶体管。

采用垂直导电结构（如VDMOS），通过V型槽或双扩散工艺实现高耐压能力。漂移区掺杂浓度直接影响导通电阻和耐压性能，通常通过增加漂移区宽度或采用超级结技术（SJ MOS）降低导通电阻。

工采网代理的电机驱动芯片 - SS6952T为电机一体化应用提供一种大电流单通道集成电机驱动方案。SS6952T有一路H桥驱动，可提供较大峰值电流7A，可驱动一个刷式直流电机，或者螺线管或者其它感性负载。

SS6952T的功率输出模块由N型功率MOSFET组成H桥电路，包含整流电路和限流电路。简单的并行数字控制接口，衰减模式可选择为快衰减，慢衰减和混合衰减。

SS6952T提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路，以达到非常低的静态电流。这种睡眠模式通过设置nSLEEP引脚来实现。内部关断功能包含过流保护，短路保护，欠压锁定保护和过温保护，并提供一个故障输出管脚nFAULT引脚。

SS6952T提供一种带有裸露焊盘的eTSSOP28封装，能有效改善散热性能，且是无铅产品，引脚框架采用100％无锡电镀。

SS6952T是一个用于双极步进电机或有刷直流电机的集成电机驱动方案。内部集成了一个NMOS H桥、电流检测、调节电路，和详细的故障检测。

典型应用原理图：

马达驱动芯片 - SS6952T的特性：

单通道H桥电流控制电机驱动器

–单个直流有刷电机

–一个步进电机单相

–PWM控制接口

固定频率下电流控制可选择

– 2 bits电流控制，提供4个电流台阶

低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

– 24V，Ta = 25°C时可实现7.0A较大驱动电流（在保证散热良好条件下）

– 24V，Ta= 25°C时 RDS(HS+LS)为150mΩ（典型值HS + LS）

较大供电耐压 50V

睡眠模式低电流

内置 3.3V 基准电压

带散热片的表面贴装封装

保护特性

– 过流保护 (OCP)

– 热关断 (TSD)

– 欠压闭锁 (UVLO)

– 故障显示 Pin（nFAULT）

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