近日，在2025上海宽禁带与超宽禁带#半导体产业 创新发展推进会上，上海市“超宽禁带半导体未来产业集聚区”在临港新片区启动建设，并同步推出多项战略举措。

●上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室揭牌
●临港新片区发布十条支持宽禁带与超宽禁带半导体产业发展政策
●超宽禁带半导体概念验证中心、集成电路材料概念验证中心启动建设
●宽禁带与超宽禁带产业基金矩阵正式发布
●超宽禁带半导体创新发展联盟发起成立

具体来看，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室由上海天岳半导体材料有限公司联合中国科学院上海光学精密机械研究所共同筹建，致力于打通科技创新和产业化双向链接通道，支撑国家低碳战略、数字经济可持续发展。

超宽禁带半导体概念验证中心和集成电路材料概念验证平台将依托临港新片区产业布局优势，重点推进技术可行性与商业潜力验证，帮助项目快速突破早期技术验证到产业转化的瓶颈，加速技术研发和成果产业化。

宽禁带与超宽禁带产业基金矩阵由上海市未来产业基金、新微资本、中科创星、华业天成、凯风创投、临创司南基金等9家机构组成，以“耐心资本”姿态为行业发展提供全方位支持。

上海市超宽禁带半导体创新发展联盟集聚全国相关领域高校、科研院所及企业，构建研发、生产、资本深度融合的产业技术创新体系，引领上海宽禁带与超宽禁带半导体产业集聚协同发展。

据“上海科技”介绍，此次超宽禁带半导体未来产业集聚区落子临港新片区，旨在发挥临港新片区产业与资源禀赋，深化市区联动，在关键技术攻关、应用场景建设、公共技术平台建设等方面加强政策支撑，持续推动创新链、产业链、资金链和人才链的深度融合，加速形成更适宜宽禁带与超宽禁带半导体产业培育壮大的创新生态。

01宽禁带与超宽禁带半导体：下一代电子器件的材料革命

宽禁带与超宽禁带半导体是两类具有显著性能优势的新型半导体材料，在高温、高频、高功率和光电子等领域展现出巨大潜力。

其中，宽禁带半导体是禁带宽度（Eg）介于2-4 eV的半导体材料，以碳化硅和氮化镓为典型代表，具有高击穿场强、高热导率、高频特性，主要被应用于逆变器、充电桩、工业电机驱动、蓝光LED、激光器、5G基站、卫星通信等电力电子、光电子和射频器件等领域。

超宽禁带半导体则是禁带宽度大于4 eV的半导体材料，以金刚石、氧化铝和氧化镓为代表，具有更高的耐压能力、抗辐射和耐高温、深紫外光发射等优势，在电网、高铁、医疗消毒、水质监测等超高压功率器件和深紫外激光器等领域具备广阔的市场前景，被认为是研制下一代超高耐压电力电子器件和超大功率射频器件的先进电子材料。

目前，宽禁带半导体已进入规模化应用阶段（如特斯拉采用SiC逆变器），未来将逐步替代硅基器件，而超宽禁带半导体尚处于研发突破期，需解决材料缺陷、器件工艺和可靠性问题。其中氧化镓因成本低可能率先在功率器件领域突围，金刚石则瞄准高端散热和量子技术。

02锚定“双百亿”目标：上海临港打造产业创新高地

上海作为中国半导体产业发展的重要基地，近年来在宽禁带与超宽禁带半导体领域加速布局。除了最新启动建设的“超宽禁带半导体未来产业集聚区”之外，上海正通过政策支持、产业链整合、技术创新和生态建设，推动这一战略新兴产业发展。

目前，上海以临港新片区为主要集聚地，已经初步构建了宽禁带半导体全产业链发展格局，并聚集了一批龙头企业，如芯源微、拓荆科技、华海清科、凯世通、积塔半导体、上海新微、昂瑞微、天岳先进、瞻芯电子、瀚芯、长电科技、旻艾、泰睿思等。

临港新片区党工委副书记吴晓华此前表示，临港在宽禁带半导体领域，到2026年能实现设备材料及晶圆制造规模超100亿元、模组器件规模超100亿元的“双百亿”目标，将临港新片区建设成为全国宽禁带半导体产业链最全、创新能力最强、应用生态最好的基地。

政策方面，上海市政府此前发布的《上海打造未来产业创新高地发展壮大未来产业集群行动方案》明确提出，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

上海市科委副主任屈炜指出，未来上海将抢抓战略机遇，积极构建“项目经理团队主导、重点任务清单突破、未来产业基金赋能、未来产业集聚区支撑”四位一体推进机制，加快推进关键技术攻关、产业生态培育、应用场景落地等工作，聚焦临港，打造宽禁带与超宽禁带半导体技术与产业创新高地。

03总结

通过政策引导、产业链整合、技术突破和生态优化，上海正在成为全球宽禁带与超宽禁带半导体领域的创新高地。而临港新片区作为核心承载区，依托全产业链布局和龙头企业带动，有望在新能源汽车、通信、能源等领域实现技术自主化与规模化应用，推动中国半导体产业向“后摩尔时代”跨越发展。

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