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旋转编码器选用FRAM铁电存储器的5个理由

发布人:ousemi 时间:2024-12-27 来源:工程师 发布文章

Fujitsu(RAMXEED)FRAM铁电存储器是一种非易失性存储器,具有高速写入、高重写耐久性和低功耗的特点。利用这些特点,FeRAM 被广泛应用于需要高频率记录设备本身及其周围环境状态的工业和车载应用中。

本次推荐提供的用于旋转编码器的 FRAM型号MB85RDP16LX配有内部计数器和 FeRAM。这意味着,在用于计算电机转速的旋转编码器时,不会影响 FeRAM 本身的快速启动、高速写入和低功耗。存储在 FeRAM 中的数据的计算和写入是通过线圈的电动势等产生的少量电能完成的,因此即使没有电源,也能继续计算电机的转数。

为旋转编码器选择 FeRAM 的五个理由


01

快速启动速度

与闪存和其他存储器解决方案不同,FeRAM不需要升压电源或复杂的内部电源排序。这意味着不需要等待电源稳定,并且可以在电源打开后立即访问存储器。

02

高速写入和高重写耐久性

与EEPROM不同,FeRAM不需要写操作的等待时间,并且能够进行大量重写,使得在内存中(即在FeRAM中)进行数据计算成为可能。

由于MB85RDP16LX配备了内部计数器处理计算电路,可以在内存中进行数据的计数器计算处理,并将计算后的数据覆盖写入内存,而无需将之前的数据读出内存。

03

低功耗

FeRAM在写入数据时不需要升压电源,并且由于写入时间短,它所需的功率(能量)远低于其他类型的非易失性存储器。这使得它能够在能量收集等弱电源上运行,并且即使在电池供电系统中也能长时间运行。

04

抗磁场

MRAM是另一种能够进行类似于FeRAM的高速写操作的非易失性存储器。然而,由于MRAM使用磁场方向来存储数据位(1和0),它对磁场非常敏感,因此需要使用防磁屏蔽来保护它,以防止数据损坏。


不建议在使用磁铁的地方,特别是电机周围使用MRAM。

由于FeRAM的存储单元结构,它对磁场和电场具有很高的抗性,并且对软件错误也有抵抗力,因此FeRAM也被用于太空应用(太空探索等)。

05

不需要电池

由于FeRAM是非易失性存储器,它不需要电池来存储数据,因此非常适合替代具有类似规格并以类似方式使用的电池备份SRAM(BB-SRAM)。

通过将BB-SRAM替换为FeRAM,可以从系统中去除电池,这在保护环境和降低维护成本方面都具有显著效果。



富士通常用型号:

MB85RS16PNF-G-JNERE1

MB85RC64PNF-G-JNERE1

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RS16PNF-G-JNERE1

MB85RS64TPNF-G-JNERE2

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

MB85RC64PNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

FTR-B3GA4.5Z-B10 

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

FTR-B3GA4.5Z-B10 

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

FBR582ND24-W

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

MB85R256FPNF-G-JNERE2

MB89R118C1-DIAP15-P1

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

FTR-B3GA4.5Z-B10 

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

MB89R118C1-DIAP15-P1

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

MB85RS16PNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85R256FPNF-G-JNERE2

MB89R118C1-DIAP15-P1

MB85RC256VPF-G-JNERE2

MB85RC128APNF-G-JNERE1

FTP-628MCL101#57-R

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC256VPF-G-JNERE2

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPF-G-JNERE2

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RS64PNF-G-JNERE1

MB97R8050-AP15-ES

MB85R256FPNF-G-JNERE2

MB85R256FPNF-G-JNERE2

FTR-K3AB012W-PV

FTP-628MCL401#01-RA

FBR582ND24-W

MB85RS64TPNF-G-JNERE2

FTR-F1CA012V

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关键词: 铁电存储器 FeRAM Fujitsu FRAM

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