专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 9945-VB一种2个N—Channel沟道SOP8封装MOS管

9945-VB一种2个N—Channel沟道SOP8封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-08-17 来源:工程师 发布文章

image.png

**产品型号:9945-VB**  

**丝印:VBA3638**  

**品牌:VBsemi**  


**详细参数说明:**

- MOSFET类型:2个N-Channel沟道

- 最大电压:60V

- 最大电流:6A

- 导通电阻:27mΩ @ VGS = 10V, 27mΩ @ VGS = 20V

- 阈值电压:1.5V

- 封装:SOP8  

VBA3638.png

**应用简介:**  

9945-VB是一款双N-Channel沟道MOSFET,具有高电压和电流承受能力以及低导通电阻,适用于各种功率控制和开关电路应用。


**举例说明:**  

1. **电源逆变器模块:** 9945-VB可用于电源逆变器模块中,用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、UPS电源等应用。

2. **LED照明驱动模块:** 在LED照明系统中,9945-VB可用作LED驱动模块中的开关器件,控制LED灯的亮度和开关,适用于室内照明、车灯等应用。

3. **电动工具电路:** 作为电动工具电路中的开关元件,9945-VB可用于电动工具的电源控制和电机驱动,提供稳定的功率输出。

4. **电池充放电保护模块:** 在电池管理系统中,9945-VB可用作电池充放电保护模块中的保护开关,确保电池充放电过程的安全和稳定。


9945-VB的特性使其适用于各种领域的功率控制和开关电路应用,包括电源逆变、LED照明、电动工具、电池管理等领域。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: 9945-VB mosfet

相关推荐

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

vb开发人员操作规程

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

AT89C52单片机与VB串行通信的实现

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

SiC MOSFET的并联设计要点

器件资料\\IRF840

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

快速、150V 保护、高压侧驱动器

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

开关电源手册

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区