"); //-->

**4565SS-VB**
**丝印:** VBA5415
**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 沟道类型:N+P—Channel
- 最大承受电压:±40V
- 最大电流:8A(正向)/-7A(反向)
- 开态电阻:RDS(ON)=15mΩ @ VGS=10V;RDS(ON)=19mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压:Vth=±1.8V
**封装:** SOP8
**详细参数说明:**
4565SS-VB是一款高性能的N+P沟道MOSFET,设计用于在±40V的最大承受电压下提供卓越的电源和电流控制。其关键参数包括8A的正向电流和-7A的反向电流能力,以及在VGS=10V和VGS=20V时分别为15mΩ和19mΩ的低开态电阻。阈值电压为±1.8V,使其在各种电源和电流控制应用中表现出色。
**应用简介:**
4565SS-VB广泛适用于多个领域,提供强大的电源和电流控制能力。以下是一些典型的应用领域和模块:
1. **电源管理系统:** 在各类电源管理系统中,4565SS-VB可用于开关电源、电源逆变器和电源调整模块,实现高效、稳定的电源输出。
2. **电动车辆(EV)充电桩:** 由于其高电压和电流承受能力,4565SS-VB适用于电动车辆充电桩中的功率开关和电流控制模块。
3. **工业自动化:** 在工业控制系统中,4565SS-VB可用于电机驱动、PLC(可编程逻辑控制器)和其他自动化控制模块。
4. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,4565SS-VB可以用于逆变器模块,实现太阳能电能的高效转换。
4565SS-VB的卓越性能使其成为多种电源和电流控制应用的理想选择,确保系统在不同场景中获得出色的性能表现。
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
MOSFET共振式直流-直流变换器电路
开关电源手册
IR推出新型DirectFET MOSFET
AT89C52单片机与VB串行通信的实现
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
快速、150V 保护、高压侧驱动器
电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新
SiC MOSFET的并联设计要点
关于MOSFET的几个问题
IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析
基于SMD封装的高压CoolMOS
vb开发人员操作规程
Re: MOSFET,IGBT是作什么用的?
TX-KDl02 MOSFET或IGBT的原理框图
沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%
李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计
FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级代理
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
器件资料\\IRF840
基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计
利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护
mosfet driver 的设计有明白的吗?
IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计
多个MOSFET管直接并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
带有反向电流保护功能的有源整流控制器