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DTU40P06-VB_MOSFET产品应用与参数解析

发布人:VBsemi 时间:2023-11-10 来源:工程师 发布文章

DTU40P06 VBE2658

参数描述:

P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V);TO252


VBE2658.png

型号参数介绍:

DTU40P06 (VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。

应用简介:DTU40P06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。

其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。

适用领域与模块:适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块,特别适合高功率要求的场景。


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关键词: MOS管 MOS mosfet VBsemi DTU40P06

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