专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > DMN3033LSN-7-VB_MOSFET产品应用与参数解析

DMN3033LSN-7-VB_MOSFET产品应用与参数解析

发布人:VBsemi 时间:2023-11-10 来源:工程师 发布文章

DMN3033LSN-7 (VB1330)

参数描述:

N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23


VB1330.png

型号参数介绍:

DMN3033LSN-7 参数:N沟道, 30V, 6.5A, RDS(ON) 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.2~2.2Vth(V), SOT23

应用简介:DMN3033LSN-7是一款适用于中功率应用的N沟道MOSFET。

其适应性广泛的门源极电压范围使其在不同工作条件下可靠运行。

常用于电机控制、照明应用等。

优势:广泛的门源极电压范围:适应不同工作条件,提高了稳定性。

适用于中功率应用:适用于电机控制、照明应用等中等功率的场景。

适用模块:DMN3033LSN-7适用于需要中功率控制的模块,如电机控制模块、照明控制模块等。




专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: MOS管 MOS mosfet VBsemi DMN3033LSN

相关推荐

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

快速、150V 保护、高压侧驱动器

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

DCorAC逆变器的制作

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

IR系列MOS驱动ic中文应用手册

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

SiC MOSFET的并联设计要点

器件资料\\IRF840

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

开关电源手册

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区