"); //-->
AO3423 (VB2290)
参数描述:
P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23
型号参数介绍:
AO3423 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23

应用简介:AO3423 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势:低导通电阻:减少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。
适用封装:SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块:AO3423 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块,如电源开关模块、电荷控制模块等。
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%
IR系列MOS驱动ic中文应用手册
多个MOSFET管直接并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
开关电源手册
IR推出新型DirectFET MOSFET
快速、150V 保护、高压侧驱动器
电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新
SiC MOSFET的并联设计要点
IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析
600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用
器件资料\\IRF840
MOSFET共振式直流-直流变换器电路
基于SMD封装的高压CoolMOS
Re: MOSFET,IGBT是作什么用的?
利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护
FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级代理
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
SN75365四TTL-MOS驱动器
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
DCorAC逆变器的制作
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
mosfet driver 的设计有明白的吗?
IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计
基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计
李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计
带有反向电流保护功能的有源整流控制器
沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
SN75322双正与门TTL-MOS驱动器
关于MOSFET的几个问题