据了解，目前三星在面向高性能计算(HPC)的 HBM 内存领域取得阶段性进展，将开发 9.8Gbps的HBM3E产品，已开始向客户提供样品。

　　而HBM4 内存以 2025年为目标正在开发中，mroeoyw正在准备针对高温热特性优化的 NCF组装技术和 HCB 技术。

　　据悉，NCF(Non-conductive Film，非导电薄膜)是用于保护积层芯片之间的固态接头(Solder joint)免受绝缘和机械冲击的聚合物层(Polymer layer)。

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　　而HCB(Hybrid Copper Bonding，混合粘接)作为新一代粘接技术，采用铜(导体)和氧化膜(绝缘体)的粘接方式，而非传统使用焊接方式。

　　实际上，早在上个月三星就发布了 32Gb DDR5 DRAM 内存，通过相同封装尺寸的架构改进，实现了16Gb DRAM 容量的两倍，无需 TSV 工艺即可制造 128GB 模块。

　　而TSV(Through Silicon Via，硅通孔)是一种封装技术，可以使芯片变薄，钻出数百个小孔，并连接垂直穿过顶部和底部芯片中的孔的电极。

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