为了实现高于十倍USB2.0端口的传输速度，USB 3.0控制芯片需要使用更先进的制程来设计与制造，但是这样会导致USB 3.0控制芯片对ESD静电放电的耐受能力下降。同时，USB 3.0端口对数据传输容错率也有更严格的要求，需要使用额外的保护器件来防止浪涌静电事件对数据传输的干扰和威胁！除了高传输速率要求之外，USB3.0端口热插拔动作（即插即用、随拔即关）引入的ESD静电放电等瞬时噪声也会造成电子系统工作异常，甚至导致USB3.0端口组件损坏。为此，我们必须采取措施保护USB 3.0端口免受浪涌静电的威胁和损坏。接下来，专业TVS二极管厂家及电路保护解决方案服务商东沃电子针对USB 3.0端口浪涌静电问题进行全方位防护方案设计及TVS二极管阵列选型推荐。

USB 3.0端口静电浪涌保护方案图

USB 3.0端口静电浪涌保护方案说明

从东沃USB 3.0端口浪涌静电保护方案图可知，USB3.0端口的两组差动对（TX and RX）东沃电子技术推荐选用TVS二极管阵列DW05-4R2P-S，阵列式封装、工作电压5V、低钳位电压15V、低结电容0.3pF，非常适合USB3.0高速数据传输特点，保证传输数据的完整性。DW05-4R2P-S满足IEC 61000-4-2 (ESD)±18kV（空气）和 ±12kV（接触）标准，采用DNF2.5x1-10L小型封装，缩小PCB面积降低布局（Layout）复杂度，节省系统成本。更值得一提的是，TVS二极管阵列DW05-4R2P-S采用交错型式的接脚，以提供PCB Layout时可利用穿透式（Feedthrough）的设计。

USB2.0端口的差动对（D+ and D-）保护，东沃电子技术推荐选用TVS二极管阵列DW05RXLC-S，工作电压5V、击穿电压6V、结电容1.3pF、SOT-143封装，完全适合USB2.0线路480Mbps的信号传输，满足IEC 61000-4-2 (ESD)±30kV（空气）和 ±30kV（接触）标准。

USB 3.0端口静电浪涌保护器件参数

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