性能有辆的SIC和GaN

―半导体产品的起源与现代―从锗到硅

半导体的历史始于 1950 年左右的点接触晶体管。最初使用的是锗，后来以特性优良的硅成为半导体产品的主要材料，一直沿用至今。

半导体制造设备的高精度化、器件结构和工艺的优化等各种技术的进步，使得硅半导体产品不断演进。

另一方面，特别是在功率半导体领域，使用大大超过硅物理特性的化合物半导体的器件的开发和实际应用正在取得进展。

损耗低于硅 化合物半导体 SiC、GaN

因此， SiC（名称：SIC/碳化硅/碳化硅）和GaN（名称：枪/氮化镓/氮化镓）等材料 目前备受关注。

硅是单质，而SiC是碳和硅的化合物，GaN是镓和氮的化合物，因此使用它们的半导体被称为化合物半导体 。

此外，SiC和GaN的带隙比硅宽，因此也被称为宽带隙半导体。（SiC的带隙为1.1，SiC的带隙为3.3，GaN的带隙为3.4。）

宽带隙半导体具有高击穿电场强度，并且可以达到与硅相同的击穿电压但击穿电压更薄层。它也被称为 下一代功率半导体，

因为它有望在下一代硅中发挥作用。

SiC和GaN优异的物理性能

与材料本身的品质因数(εμeEc 3 )相比，作为宽带隙半导体的SiC和GaN具有突出的高性能 ，其中SiC是硅的440倍，GaN是硅的1130倍。

目前，利用这种材料的周边技术的开发正在进行中，通过在使用传统硅半导体的地方使用 SiC 和 GaN，可以实现电子设备的进一步小型化和高效化。

近年来，作为半导体材料的SiC晶圆衬底质量不断提高，晶圆的直径也越来越大。因此，它们变得更流行、更便宜，并开始在许多设备中使用。

另一方面，GaN晶圆衬底仍然价格昂贵，一般采用水平结构，在廉价的硅衬底上形成GaN有源层。因此，很难增加电流，但通过使工艺小型化，它被用于需要极高速开关操作的应用中。

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