铠侠株式会社(Kioxia Corporation)和西部数据公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了双方合作开发的新3D闪存技术的细节，展示了两家公司的持续性创新。通过应用先进的扩展和晶圆键合技术，3D闪存以极具吸引力的成本提供了出色的容量、性能和可靠性，非常适合满足广泛的细分市场中数据呈指数式增长所带来的需求。 

西部数据技术与战略高级副总裁Alper Ilkbahar表示：“新推出的3D闪存彰显出我们与铠侠强有力的合作关系，以及双方联合创新的领先优势。通过制定单一的通用研发路线图及持续的研发投资，我们能够提前实现这项基本技术的产品化，并打造经济实惠的高性能解决方案。” 

铠侠和西部数据引入多种独特的工艺和架构来降低成本，并实现了横向扩展方面的持续进步。垂直和横向扩展之间的良好平衡能够在更小的芯片中实现更大的容量，且层数更少，成本也得到了优化。双方还开发了开创性的互补金属氧化物半导体(CMOS)直接键合到阵列(CBA)技术，其中每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆均在优化状态下单独制造，随后键合在一起，以提高位密度和NAND I/O接口速度。 

铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示：“通过双方独特的工程合作，我们成功推出了具有业界领先1位密度的第八代BiCS FLASHTM。很高兴铠侠已经开始向部分客户送样。通过应用CBA技术和扩展相关创新，我们推进了3D闪存技术组合的进步，未来将用于智能手机、物联网设备和数据中心等一系列以数据为中心的应用。” 

218层3D闪存利用了1Tb三层单元(TLC)和四层单元(QLC)的四个平面，通过创新的横向收缩技术，将位密度提高了50%以上。其高速NAND I/O接口的速度超过3.2Gb/s，比上一代产品提高60%，再加上写入性能和读取延迟方面20%的提升幅度，将加速用户设备的整体性能和可用性。 

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