N3制程中,EUV微影曝光流程多达25层,而单台EUV微影曝光设备造价最高达2亿美元。因此N3制程单片晶圆生产费用可能高达20000美元,较N5制程高出20%。
台积电3nm制程技术已于近期宣布量产。但市场消息指出,初代N3制程技术成本“非常高”,影响IC设计厂采用积极性。目前只有苹果采用,甚至有报道称今年苹果或是台积电3nm唯一一家客户。
为刺激客户采用兴趣,台积电已在谋划“降价大促销”——据Tom’s Hardware报道,台积电正在考虑降低3nm制程系列技术报价。
台积电3nm制程系列包含多个细分制程技术,包括N3、N3E、N3P、N3X等。
其中,还未面世的新一代N3E制程成本较N3制程来得低,这一情况也已成为市场共识。
有市场分析师指出,N3制程中,EUV微影曝光流程多达25层,而如今单台EUV微影曝光设备造价即高达1.5亿-2亿美元。因此,N3技术极为昂贵,而台积电为摊平设备采购成本,不得不对N3及后续制程收取高昂费用。
此前有消息称,使用台积电N3制程技术后,单片晶圆生产费用可能高达20000美元,较N5制程晶圆单价(16000美元)高出20%。
正如上文所述,台积电正考虑降低3nm系列制程报价,尤其是N3E制程。
为何是N3E?该制程最多仅需使用19层EUV微影曝光流程,制造复杂度略低,其成本也较低。因此,台积电可在不损害获利能力的情况下,进一步降低N3E制程的生产报价。
分析师预计,2023年下半年,N3制程产能便将迎来“有意义的”提升,不过,届时优化版本N3E制程也将准备就绪。
因此,高性能运算、智能手机、定制芯片等方面的主要客户(包括AMD、英特尔、高通、联发科、MRVL、AVGO、GUC等),可能将留在原有的N4或N5(4/5nm)制程节点,或选择成本较低的N3E来作为首次在3nm制程上的投产节点。
另外,根据AMD此前公开的计划来看,其2024年部分采用Zen 5设计的产品将采用3nm制程生产;英伟达也计划在其下一代Blackwell架构GPU中,采用3nm制程技术。
在3nm系列制程技术成本高昂的情况下,客户对该技术的采用或将局限于某些特定产品。而一旦台积电愿意降价,客户未来或将重新考虑3nm系列制程采用策略。
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