专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 氮化镓GaN静电浪涌防护方案

氮化镓GaN静电浪涌防护方案

发布人：leiditechsh 时间：2022-12-21 来源：工程师

加入技术交流群
- 扫码加入
  和技术大咖面对面交流
  海量资料库查询

发布文章

前因：氮化镓不具有瞬态浪涌吸收能力，电路开关瞬态和雷击浪涌时，过流过压不能超过氮化镓的额定能力。

方案优点：处于反激式电源变压器初级的TVS能充分吸收FET开关瞬态产生的过冲能量，反应快、低残压、可控.

本方案采用： PTVS160AF单颗器件防护,功率大，体积小，节约空间.

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。联系我们

关键词： 氮化镓;GaN;静电浪涌防护;雷卯

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？

AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链...

智能计算 800V GaN 2026-04-23

英诺赛科宣布 ITC 裁决胜诉：现有氮化镓器件未侵权，美国出货不受影响

针对与德国芯片厂商英飞凌的专利纠纷，英诺赛科于 5 月 8 日发布新闻稿宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前在售氮化镓（GaN）功率器件未侵犯英飞凌专利，...

电源与新能源英诺赛科 ITC 氮化镓 2026-05-11

更高功率的GaN PA——在较短的脉冲宽度内运行，适合雷达应用

本次演示介绍我们在脉冲电源设置中运行的高功率GaN放大器，其脉冲宽度经过调整后可用于雷达应用。 GaN、功率放大器、雷达 ...

视频 ADI GaN PA 雷达应用 2018-08-06

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaNFET如何实现下一代工业电源设计

TI宣传员 2022-02-04

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

设计方案氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC) 2025-05-20

GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步

在电源应用中使用GaN（氮化镓）能够有效推动实现更加高效电力转换目标的实现。本文详细介绍了TI在为希望充分发挥GaN作用的电源系统所能提供的创新型制造工艺、电路和封装技术。...

资源下载 GaN 电源 2015-04-13

意法半导体集成保护功能的氮化镓栅极驱动器

意法半导体（STMicroelectronics）推出两款半桥氮化镓（GaN）栅极驱动器，专为电源转换与运动控制系统的高速开关应用设计。产品通过在单芯片内集成核心控制与保护功能，助力实现更紧凑、更高效的系统方案。对于从事...

工控自动化运动控制电源意法半导体氮化镓栅极驱动器 STDRIVEG212 STDRIVEG612 2026-04-14

10KV氮化镓器件全新技术方案

一种基于等离子体的简易边缘终端技术，成功制备出横向结构 10 千伏级氮化镓二极管。在电力电子领域的一众半导体技术中，氮化镓（GaN）已取得显著成功。这种材料在需要承受数百伏电压、同时实现极低功耗的场景中，性能无可匹敌。凭...

电源与新能源 10KV 氮化镓 2026-05-14

氮化镓MOSFET介绍

氮化镓MOSFET 高频高效率硅材料MOSFET/ Cool Mos 氮化镓材料MOSFET -HEMT ...

资源下载氮化镓超低损耗MOSFET 2014-10-23

是说芯语36：宽带隙半导体技术方兴未艾，氮化镓应用日新月异

jackwang 2019-02-26

GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步

设计方案 GaN 氮化镓电源 2016-02-18

采用氮化镓FET解决无桥PFC中效率与功率的问题

windowsww 2014-02-18

完整发射器解决方案：位到GaN HPA

采用塑料封装的AD9164 RF DAC和HMC1114 GaN PA本身都是非常强大的器件。通过配合使用两款器件，ADI公司能够提供更出色的解决方案。位到S波段的高功率直接RF。要了解更多出色的解决方案，请访问：A...

视频 ADI RF AD9164 RF DAC HMC1114 GaN PA 2017-01-16

提高单极PFC方法

氮化镓MOSFET适合高频同时低损耗代替COOL-MOSFET 性能远好远COOL-MOSFET Tr hz an Ho 02 sph ng 1@ or ,1 qq m 35 ....

资源下载 GAN 氮化镓MOSFET 2014-10-23

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

设计方案氮化镓 SiC 功率MOSFET 2025-05-20

氮化镓+MCU赋能高效OBC：大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势

2026年5月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化镓与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活...

汽车电子氮化镓 MCU OBC 大联大诠鼎英飞凌车载电源 2026-05-11

中国GaN半导体巨头专利侵权案ITC作出终裁

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最...

GaN 氮化镓功率器件英诺赛科 Innoscience 英飞凌 2026-05-08

英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12...

电源与新能源英特尔氮化镓 GaN 芯粒 2026-04-14

控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换

了解关键的ADI iCoupler®数字隔离、控制、传感和通信技术如何直接通过部署SiC和GaN功率转换及日益复杂的多级控制拓扑来解决面临的挑战。...

视频 ADI iCoupler®数字隔离控制传感通信技术 SiC GaN 2017-02-13

数字电源控制推进 GaN PFC 设计

设计方案电源控制 GaN 2025-05-23

三分钟带你了解GaN在射频功率领域的巨大作用

水方 2019-09-21

ADI公司引领GaN技术

观看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天与国防业务部门总经理）的访谈，了解氮化镓器件和解决方案的最新进展与新应用。...

视频 adi GaN 航空航天国防氮化镓器件 2016-11-10

一种基于GaNpower半导体的GaN MOS设计的150W PC电源应用电路

一种基于GaNpower半导体的GaN MOS设计的150W PC电源应用电路。电路应用部分如有侵权，请联系本人删除。谢谢！...

资源下载 GaN PD PC 2020-06-27

PI TOPSwitchGaN将回激转换器的功率范围提升至440W

Power Integrations研发的反激拓扑架构取得技术突破，将反激变换器的功率适用范围拓展至440 瓦，可有效降低系统成本、设计复杂度与开发周期，性能超越结构更复杂的传统谐振及 LLC 拓扑方案。TOPSwitc...

电源与新能源 PI TOPSwitch GaN 回激转换器 440W 2026-05-15

LLC电路采用氮化镓MOSFET大大提高效率

现在有cool-MOSFET，但依然存在着不足，虽然Rds(on)很小了，但死区时间较大。开关周期中体内寄生的二极管存有损耗。使得效率无法进一步提高。同时由于硅材料的物理特性，高压MOSFET工作频率很难再提高，正常...

资源下载 LLC GAN 2014-10-23

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈-...

模拟技术 Vishay GaN SiC 开关 EMI滤波航天级共模扼流圈 2026-04-16

中国宽禁带芯片企业发展分化：氮化镓射频高歌猛进，碳化硅盈利承压

2026 年一季度，中国宽禁带半导体产业（涵盖碳化硅 SiC与氮化镓 GaN）业绩分化明显。受 5G 基站建设、电动汽车车载充电机（OBC）强劲需求拉动，氮化镓射频（GaN RF）企业营收大涨；反观碳化硅功率器件厂商，受...

电源与新能源宽禁带氮化镓射频碳化硅 2026-05-14

【PI】Doug谈什么是GaN

Doug谈什么是GaN 更多PI相关信息，请关注： PI解决方案中心：http://ec.eepw.com.cn/center/index/userid/43195& PI视频中心：http://www.eep...

视频 GaN PI 2021-06-24

电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

设计方案电力电子碳化硅 GaN 2025-05-16

用于脉冲雷达的GaN MMIC功率放大器的电源管理

谢丫丫 2018-10-15

更多 培训课堂

更多焦点

更多视频

专栏中心

氮化镓GaN静电浪涌防护方案

相关推荐

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？

英诺赛科宣布 ITC 裁决胜诉：现有氮化镓器件未侵权，美国出货不受影响

更高功率的GaN PA——在较短的脉冲宽度内运行，适合雷达应用

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaNFET如何实现下一代工业电源设计

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步

意法半导体集成保护功能的氮化镓栅极驱动器

10KV氮化镓器件全新技术方案

氮化镓MOSFET介绍

是说芯语36：宽带隙半导体技术方兴未艾，氮化镓应用日新月异

GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步

采用氮化镓FET解决无桥PFC中效率与功率的问题

完整发射器解决方案：位到GaN HPA

提高单极PFC方法

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

氮化镓+MCU赋能高效OBC：大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势

中国GaN半导体巨头专利侵权案ITC作出终裁

英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒

控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换

数字电源控制推进 GaN PFC 设计

三分钟带你了解GaN在射频功率领域的巨大作用

ADI公司引领GaN技术

一种基于GaNpower半导体的GaN MOS设计的150W PC电源应用电路

PI TOPSwitchGaN将回激转换器的功率范围提升至440W

LLC电路采用氮化镓MOSFET大大提高效率

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

中国宽禁带芯片企业发展分化：氮化镓射频高歌猛进，碳化硅盈利承压

【PI】Doug谈什么是GaN

电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

用于脉冲雷达的GaN MMIC功率放大器的电源管理

技术专区