VH501TC 提供多种振弦传感器激励方法，以最大限度兼容所有厂家和型号的振弦传

感器。振弦传感器激励方法参数位于实时数据窗口右侧，共有 5 种方法可选，分别用

MODTH0~MODTH4 表示。各方法说明如下：

激励电压数据在屏幕上显示为 xxx/xxx 的形式，其中前面的数字表示实际的激励电

压，后面的数字表示激励电压源电压 VSEN。高压脉冲激励和低压扫频激励方法所使用

的电源均来自于 VSEN，相对来说，使用比较高的 VSEN 时能得到更好的传感器信号，但

有些传感器必须使用比较低的 VSEN 电压才会得到稳定的频率数据。

VH501TC 有两个版本，当需要修改激励方法或者激励电压源时，若设备背面有两个

旋转开关，则直接旋转开关即可；若没有旋转开关时需要用上述操作按键的方法进行参

数修改。激励方法旋转开关的档位含义与上表相同，激励电压旋转开关的档位 0~15 表

示设置 VSEN 为 0~15V（前 5 档固定为 5V）。

注意：建议 VSEN 的电压不要超过 12V，推荐设置为 5~8V。如果 VSEN 电压设置太

高，测量某些小阻值（小于 200 欧姆）传感器时会有传感器或者设备损坏的危险。

在使用过程中，应注意观察显示于屏幕中的振弦信号质量值，针对某类或者某些传

感器，不同的激励方法对信号质量影响会很大，激励方法的切换和使用应以信号质量最

高为选取标准。

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