来源：芯TIP

报告主题：SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性以及GaN HEMT的栅极特性

报告作者：Professor Layi Alatise and Dr Jose Ortiz Gonzalez

报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）

SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性：

使用第三象限特性表征 BTI、使用串扰表征 BTI

GaN HEMT 中的栅极特性：

栅极特性、第三象限特性以及栅极应力和阈值电压不稳定性

报告详细内容

▍SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性

▍GaN HEMT 的栅极特性

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